2013-01-15 1
201 3- 01- 1 5
High Power Infrared Emitter (940 nm)
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
Version 1.0
SFH 4233
Features: Besondere Merkmale:
IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W)
Centroid wavelength 940 nm Schwerpunktwellenlänge 940 nm
ESD safe up to 2 kV acc. to ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001-2011
ESD sicher bis 2 kV nach ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001-2011
Superior Corrosion Robustness (see chapter
package outlines)
Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt
Maßzeichnung)
The product qualification test plan is based on the
guidelines of AEC-Q101-REV-C, Stress Test
Qualification for Automotive Grade Discrete
Semiconductors.
Die Produktqualifikation wurde basierend auf der
Richtlinie AEC-Q101-REV-C, „Stress Test
Qualification for Automotive Grade Discrete
Semiconductors“, durchgeführt.
Applications Anwendungen
Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras
Surveillance systems Überwachungssysteme
Maschine vision systems Beleuchtung für Bilderkennungssysteme
Notes Hinweise
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
2013-01-15 2
Version 1.0 SFH 4233
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Type: Total Radiant Flux Ordering Code
Typ: Gesamtstrahlungsfluss Bestellnummer
IF = 1A, tp = 10 ms
Φe [mW]
SFH 4233 >320 (typ. 500) Q65110A8901
Note: Measured with integrating sphere.
Anm.: Gemessen mit Ulbrichtkugel.
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 125 °C
Junction temperature
Sperrschichttemperatur
Tj145 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR1V
Forward current
Durchlassstrom
IF1000 mA
Surge current
Stoßstrom
(tp 200 μs, D = 0)
IFSM 5A
Power consumption
Leistungsaufnahme
Ptot 1800 mW
Thermal resistance junction - solder point
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad
RthJS 9K / W
Version 1.0 SFH 4233
2013-01-15 3
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(IF = 1 A, tp = 10 ms)
λpeak 950 nm
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(IF = 1 A, tp = 10 ms)
λcentroid 940 nm
Spectral bandwidth at 50% of Imax
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
(IF = 1 A, tp = 10 ms)
Δλ 35 nm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 60 °
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
L x W 1 x 1 mm x
mm
Rise and fall times of Ie ( 10% and 90% of Ie max)
Schaltzeiten von Ie ( 10% und 90% von Ie max)
(IF = 5 A, RL = 50 )
tr / tf8 / 14 ns
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 1 A, tp = 100 µs)
VF1.4 ( 1.8) V
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 5 A, tp = 100 μs)
VF2 ( 2.9) V
Radiant intensity
Strahlstärke
(IF = 1 A, tp = 100 µs)
Ie, typ 170 mW/sr
Temperature coefficient of Ie or Φe
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe
(IF = 1 A, tp = 10 ms)
TCI-0.3 % / K
Temperature coefficient of VF
Temperaturkoeffizient von VF
(IF = 1 A, tp = 10 ms)
TCV-2 mV / K
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(IF = 1 A, tp = 10 ms)
TCλ,
centroid
0.3 nm / K
2013-01-15 4
Version 1.0 SFH 4233
Grouping (TA = 25 °C)
Gruppierung
Group Min Total Radiant Flux Max Total Radiant Flux
Gruppe Min Gesamtstrahlungsfluss Max Gesamtstrahlungsfluss
IF = 1A, tp = 10 ms IF = 1A, tp = 10 ms
Φe min [mW] Φe max [mW]
SFH4233 - CB 320 500
SFH4233 - DA 400 630
SFH4233 - DB 500 800
Note: Measured with integrating sphere.
Only one group in one package unit (variation lower 1.6:1)
Anm: Measured with integrating sphere.
Only one group in one package unit (variation lower 1.6:1)
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
Irel = f(λ), TA = 25°C
Relative Total Radiant Flux
Relativer Gesamtstrahlungsfluss
Φe / Φe (1000mA) = f(IF), TA = 25°C, Single pulse,
tp= 100μs
800
0nm
%
OHF04133
20
40
60
80
100
1050850 900 950
I
rel
λ
OHF04290
I
F
A
10
-1
510
0
510
1
1
10
-2
10
-3
10
5
10
10
5
-1
5
0
e
Φ
(1 A)
Φ
e
10
-2
Version 1.0 SFH 4233
2013-01-15 5
Max. Permissible Forward Current
Max. zulässiger Durchlassstrom
IF = f(TS), RthJS = 9 K/W
Forward Current
Durchlassstrom
IF = f(VF), single pulse, tp = 100 µs, TA= 25°C
Permissible Pulse Handling Capability
Zussige Pulsbelastbarkeit
IF = f(tp), TS = 85 °C, duty cycle D = parameter
0
0˚C
T
I
F
A
OHF04369
S
20 40 60 80 100 130
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.1
OHF04405
F
I
V
A
0
F
V
10-1
5
100
5
101
10-2
0.5 11.5 22.5
0
-5
F
I
A
t
p
s
OHF04177
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
1010
P
t
=
DT
T
t
P
I
F
0.01
0.33
0.5
0.2
0.1
0.02
D
0.005
=
0.05
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.5
1
2013-01-15 6
Version 1.0 SFH 4233
Radiation Characteristics
Abstrahlcharakteristik
Irel = f(ϕ)
0
0.2
0.4
1.0
0.8
0.6
ϕ
1.0 0.8 0.6 0.4
10˚20˚40˚ 30˚
OHL01660
50˚
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚
Version 1.0 SFH 4233
2013-01-15 7
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Cathode mark on the bottom side / Kathodenmarkierung auf der Bauteilunterseite
Note: Corrosion robustness better than EN 60068-2-60
(method 4): with enhanced corrosion test: 40°C /
90%rh / 15ppm H2S / 336h
Anm.: Korrosionsfestigkeit besser als EN 60068-2-60
(Methode 4): mit erweitertem Korrosionstest: 40°C /
90%rh / 15ppm H2S / 336h
Type: SFH 4233
Typ: SFH 4233
Package Platinum Dragon, approx. weight: 0.2 g
Gehäuse Platinum Dragon, Gewicht: 0.2 g
2013-01-15 8
Version 1.0 SFH 4233
Method of Taping
Gurtung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Note: Packing unit 800/reel, ø180 mm
Anm.: Verpackungseinheit 800/Rolle, ø180 mm
OHAY0508
1.55 (0.061) 2 (0.079)
4 (0.157)
6.35 (0.250)
8 (0.315)
1.75 (0.069)
11.5 (0.453)
12.4 (0.488)
24 (0.945)
0.3 (0.012)
0.3 (0.012)
1.9 (0.075)
7.35 (0.289)
Cathode/Collector Side
Version 1.0 SFH 4233
2013-01-15 9
Recommended Solder Pad
Empfohlenes Lötpaddesign
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Attention Anode and Heatsink are electrically connected
Achtung Anode und Heatsink sind elektrisch verbunden
2013-01-15 10
Version 1.0 SFH 4233
Reflow Soldering Profile
Reflow-Lötprofil
Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01
0
0s
OHA04525
50
100
150
200
250
300
50 100 150 200 250 300
t
T
˚C
S
t
t
P
t
T
p
240 ˚C
217 ˚C
245 ˚C
25 ˚C
L
OHA04612
Profile Feature
Profil-Charakteristik
Ramp-up rate to preheat*
)
25 °C to 150 °C
23K/s
Time t
S
T
Smin
to T
Smax
t
S
t
L
t
P
T
L
T
P
100 12060
10 20 30
80 100
217
23
245 260
36
Time
25 °C to T
P
Time within 5 °C of the specified peak
temperature T
P
- 5 K
Ramp-down rate*
T
P
to 100 °C
All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component
* slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range
Ramp-up rate to peak*
)
T
Smax
to T
P
Liquidus temperature
Peak temperature
Time above liquidus temperature
Symbol
Symbol
Unit
Einheit
Pb-Free (SnAgCu) Assembly
Minimum MaximumRecommendation
K/s
K/s
s
s
s
s
°C
°C
480
Version 1.0 SFH 4233
2013-01-15 11
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 SFH 4233
2013-01-15 12
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com © All Rights Reserved.