CPT-182シリーズ
Surface Mountable Chip Photo-transistor CPT-182 Series
表面実装型
チップフォトトランジスタ
■諸特性/Characteristics
■Features
1. DevelopedasachiptypeSMDphoto-tran-
sistorforbothright-angleanduprightuses
2. Smallandsquaresize,dimensions：3.2(L)
×2.4(W)×2.4(H)mm
■Application
1. Positiondetectionforcompactdiscin
CDplayer
2. PositiondetectingfortapeinVCRand
portableVCRincorporatedwithcamera
3. Positiondetectingforfloppydiscinfloppy
discdrive
4. Positiondetectingforotherequipment
■特徴
1. チップ型フォトトランジスタで上面
及び側面受光可能。
2. 外形寸法は3.2(L)×2.4(W)×2.4(H)
mm小型・角型サイズ。
■用途
1. CDプレーヤーのディスク位置検出。
2. V T R 、カメラ一体型V T R のテープ
位置検出。
3. フロッピーディスクの位置検出。
4. その他の位置検出。
50°
60°
70°
80°
90°
50°
60°
70°
80°
90°
40°  30°  20° 10° 0° 10° 20° 30° 40°
指向特性
Directive Characteristics
周波数特性
Frequency response
0
-
10
-
20
-
30
-
50
-
40
1 3 10 30 100
f (KHz)
RL=100Ω
RL=510Ω
Vcc=5V
Ta=25˚C
光源=CL-200IR
Lighting source
of CL-200IR
RL=1KΩ
(dB)
T a (°C)
0 2 4 6 8 10 12 14
700
600
500
400
200
100
0
300
Ic-V
CE
特性
Ic-V
CE
Characteristics
V
CE
(V)
1 5 10 100
1000
100
50
10
RL(KΩ)
tr/rf-RL特性
tr/tf-RL Characteristics
tr
tf
tr tf (µS)
0.1 1.0 10
10000
1000
100
E (mW/cm
2
)
Ic-E特性
Ic-E Characteristics
Ic (µA)
Ic (µA)
800 900 1000 1100 1200
80
60
40
0
20
100
分光感度特性（Ta=25℃）
※2
Special EfficiencyCharacteristics
相対感度（％）
Relative efficiency
波長λ（nm）
Wave length
-
25 0 25 50 75 100
175
150
120
100
50
75
I
RC(%)
I
RC
-Ta特性
I
RC
-Ta Characteristics
V
CE
=5V
Ta=25˚C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5mW/cm
2
V
CE
=3V
Ta=25˚C
V
CC
=5V
V
CC
入力
Input
tf tr
90%
10%
入力パルス
Input pulse
出力パルス
Output pulse
応答速度測定回路
Measuring circuit for response time
LED:CL-200IR 出力
Output
RL
R
Ta=25˚C
R=100Ω
0100 100
1 10 100
100
10
1
0.1
d (mm)
CL-200IRとの組み合わせ特性
Combined Characteristics with CL-200IR
Ic (mA)
10mW/Sr
20mW/Sr
Ta=25˚C
:V
CE
=5V
5V
d
■電気的光学的特性/Electro-opticalcharacteristics (Ta=25℃)
※1EV=950nmlR光による放射照度/
※1E
V
=Infraredirradianceat950nm
※2Cタイプ標準/
※2StandardforCtype
項目/Item 記号 条件/Conditions 最小 標準 最大 単位
Symbol Min Typ Max Unit
光電流/Lightcurrent IC
V
CE
=5V
※1
E
V
=0.1mW/cm
2
40 120 375
μ
A
暗電流/Collectordarkcurrent ICEO VCE=5V - 5 100 nA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Saturatedvoltagebetweencollector&emitter
VCE(Sat)
I
C
=100μA
※1
E
V
=0.1mW/cm
2
-0.150.4 V
ピーク感度波長
/Peaksensitivewavelength
λp※2 -- 950 - nm
分光感度/Spectralefficiency λ※2 -860〜1060 nm
応答時間/立上がり/Risetime Tr VCE=5VIC=2mA - 6 -
μSEC
ResponseTime
立下がり/Falltime Tf RL=100Ω - 6 -
μSEC
半値角/Spectralwidthofhalfvalue
θ
1/2
--
±
30 - deg.
58
素子位置
Position of die
樹脂
基板
Resin
P.C.board
(2.1)
(1.2)
2.4
2.4
3.2
2.2
0.5 (0.5)
(0.3)
(1.8)
(2.6)
エミッタマーク
Emitter mark
極性
Polarity
C
E
はんだ付け電極
Soldering terminal
■外形寸法図/Outlinedrawing
単位/Unit：mm