■外観図 OUTLINE
184 （J534）
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
特長
■定格表 RATINGS
面実装デバイス単体型
Surface Mounting DeviceSingle Diode
Rectifier Diode
•小型SMD
• 耐湿性に優れ高信頼
•SmallSMD
•High-Reliability
600V 2A
DG1V60 Package：G1F Unit:mm
Weight:0.011g（typ.）
①②
T 78
カソードマーク
Cathodemark
品名略号
TypeNo.
ロット記 号（例）
Datecode
3.5
0.8
1.6 ①②
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
項  目
Item
記号
Symbol
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装
50Hz sine wave,Resistance load, on glass-epoxy
substrate
Tl＝ 100℃
Ta ＝ 25℃
パルス測定
Pulse measurement
接合部・周囲間
Junction to ambient
接合部・リード間
Junction to lead プリント基板実装
on glass-epoxy substrate
パルス測定
Pulse measurement
IF=1.0A,
VR=600V,
MAX1.05
MAX10
MAX20
MAX120
−55〜150
150
600
2.0
1.0
20
2
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t＜10ms, Tj = 25℃
I2t
条 件
Conditions
品 名
TypeNo. 単位
Unit
DG1V60
θjl
θja
Feature
185
（J534）
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
＊ Sinewave は 50Hz で測定しています。
＊)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統計的な実力を表しています。
＊4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
Small SMD DG1V60
4