PNP SILICON TRANSISTOR TRANSISTOR PNP SILICIUM Compl. of BC 140 and BC 141 BC 160 BC 161 - Switching and amplifier Commutation et amplification Maximum power dissipation VcEo Ic hate 60V treo -1A 40 .... 250 BC 160 BC 161 Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernidres pages Prot {Ww} 4 3 2 B ' (1) Tanp!?C) 2) Tapeg iC) 00 150 - case Weight : 1,1 g. Collector is connected to case 25 50 1 200 Masse Le collecteur est reli eu boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires) BC 160 BC 161 Collector-base voltage Vv _ a Tension collecteur-base CBO 40 60 V Collector-emitter voltage Vv i Tension collecteur-metteur CEO 40 60 v Emitter-base voltage VeBo 5 Vv Tension metteur-base Collector current lo -1 A Courant collecteur Base current | I Courant base 8 01 A Power dissipation Tamb = 25C Prot 0,80 w Dissipation de puissance Tease = 25C 4,25 Ww Junction temperature max, T 175 c Temprature de jonction J Storage temperature min. T _ Temprature de stockage max. stg 65 +175 Cc 76-07 1/6 313BC 160, BC 161 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Uniess otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. BC 160 | 40 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig =-0,1 mA ViBRICES Tension de claquage collecteur-metteur Vee =0 BC 161 60 Vv BC 160 | 40 v Collector-emitter breakdown voltage le = -50 mA Vv BR)CEO Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 (BR}C Be 161 60 v Emitter-base breakdown voitage lg =0,1mA Vv . 5 Vv Tension de claquage metteur-base Io = {(BR)EBO VcE =40V BC 160 Vee =0 ~-10 -100 nA Vee = 60 BC 161 Vee =9 Collector-emitter cut-off current = Ince Coursnt rsidue! collecteur-6metteur Vee = 40V CES Vpe =0 BC 160 Tamb= 150C 10 100 BA Voge = -60V Vee= 0 BC 161 Tamb= 150C cl. 6 40 100 Static forward current transfer ratio Veep =-1V Valeur statique du rapport de transfer \ cE =~100 mA hore cl. 10 63 160 direct du courent cl.16 | 100 250 Collector-emitter saturation voltage Ig =-1 Veesat 06 -1 Vv Tension de saturation collecteur-metteur 'g =100mA Base-emitter voltage Voge =-1V Vee -1 -1,7 Vv Tension base-metteur lo =-1A 2/6 314BC 161, BC 161 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee = -10V Transition frequency lo = 50 mA fr 50 MHz Frquence de transition f =20MHz Vos = -10V Common base output capacitance = Cc. Capacit de sortie base commune 'E =0 22b 30 pF f = 1 MHz Veg = 0,5V Common base input capacitance le =0 Cy 1b 180 pF Capacit dentre base commune f =1MHz Turn-on time Ie = 7100mA tytt 500 ns Temps total de croissance py=lgoo mA r Turn-off time Ig =7100 mA tet ty 650 ns Temps total de dcroissance 1 BI et B25 mA THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-ambiants) Rentj-a) 187 C/W Junction-case thermal resistance Rane: Rsistance thermique (jonction-boitiar} th{j-c) 36 c/w 3/6 315BC 160, BC 161 SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION f Oo .. + 1Ke Oscilloscope Oscilloscope t, = 15 ns (] 50 2 1kQ 1202 Zjc2 100 k2 1Ous we 5V 20V T Ty o- pli Vv Rise time and fall time of input voltage < 15 ns, generator impedance 50 2 Temps de croissance et temps de dcroissance de la tension dentre <15 ns, gnrateur dimpdance 50 Q 416 316BC 160, BC 161 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES ces (nA) 1 10 0 40 80 120 160 T, (C) 0 40 80 120 160 TL tec) -v hore iia ABT eligi laf bey =10 [tes | 160 y 1 7 120 0,8 Nee | | Ltt 80 0,6 0,4 /- 40 Y 0,2 LZ Nct* 9 z 468 2 468 2 4 5 10 0! 02 Igima) 100 7 * 8Sot 2? * 832 2 4* -1tmay 5/6 317BC 160, BC 161 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES f, (MHz) 300 200 100 2 468 2 468 2 #4 2 2 2 4 10" 10 to! Vo_(V) 10 10! 10 Ig(ma) C115 Cob (pF) (pF) 80 40 60 30 40 20 20 10 0 0 0 5 10 15 20 YcplV) 6/6 318