PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE BD 166 TRANSISTORS PNP SILICIUM, BASE EPITAXIEE BD 168 BD 170 Compl. of BD 165, BD 167, BD 169 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE These transistors are intended for complemen- tary or quasi complementary symetry ampli- ~45V BD 166 fiers : audio driver, convergence circuits in TV VcEo 60 V BD 168 receivers, audio output stages up to 5 W. c 80 V BD 170 Ces transistors sont destins aux amplificateurs 4 ! 15A symtrie compimentaire ou quasi complmentaire : AS 20 Ww tages driver, circuits de convergence en tlvision, tot 6tages de sortie BF jusqua & W. R. th(j-c) 6,25C/W max h21E (-150 mA) 40 min fr 3 MHz min Dissipation Plastic case TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Variation de dissipation Bojtier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100% t 75 -+ 4 Se 4 50 %, t \ \ 25 --+ t L Weight : 0,7 g. Collector is connected to meta! part of case 0 00180 tC) g 9 50 1 case Masse Le collecteur est reli 4 la partie mtallique du bottier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contrairas) BO 166 BD 168 BD 170 45 60 80 Vv Cotlector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Collectos-emitter voltage = Tension collecteur-metteur R BE 100 22 Voce R 45 60 80 Vv VcEo 45 60 ~80 v Fansion Gnetteurben, VeBo 5 -5 -5 V Courant colactaur Ic 15-1500 15 A Cearant de cite oe olecteur tp = 20 ms lom -3 -3 -3 A foarnt bees lg 0,5 -05 0,5 A Daapetion de putsence tease = 25C Prot 20 20 20 w Tompyrature de jonetion max t 160 150150 C Storage temperature min t 65 ~65 65 C Temprature de stackage max stg +150 +150 +150 C 74-10 1/4 THOMSON - CSF arma eMcOneUCeS, 465BD 166, BD 168, BD 170 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated: (Sauf indications contraires) Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Vepe 45V ce= ~48 BD 166 100 uA ig =0 Vep= 60V Collector-base cut-off current cB ! A Courant rsiduel coliecteur-base ig =0 cBO BD 168 100 u Vep= 80V cB BD 170 100 nA le =90 Emitter-base cut-off current Veg -5V { Courant rsiduel metteur-base Ig = 0 EBO -1 mA BD 166 | 45 Collector-emitter breakdown voltage le =-0,1A Tension de claquage collecteur-metteur Ip = Veeo(sust BD 168 | 60 v BD 170 ; 80 Vee = 2V 40 Static forward current transfer ratio Io =~G,15A Valeur statique du rapport de transfert h bl direct du courant \ _ 2te Voce =7-2V 15 lo =-O5A Collector-emitter saturation voltage {.. =-O0,5A *x Tension de saturation collecteur-metteur ls =-0,05A VoEsat 0,5 v Base-emitter voltage Veep =-2V Voe* Tension base-metteur ! . =_0,5A BE 0,95 v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) | Vee =-2V Transition frequency 1. =-O5A fy 3 MHz Frquence de transition C f = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rens ~ Rsistance thermique (jonction-boitier} th(j-c) 6,25 C/W * Pulsed impulsions - t, =300us 5 < 2% 2/4 466BD 166, BD 168, BD 170 SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE Continuous Continu Pulsed impulfsions 1 z 5 10 20 50 Vogl) 3/4 467BD 166, BD 168, BD 170 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction ae la rsistance thermique en rgime dimpulsions 4/4 468