NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 ... 89 Wesentliche Merkmale * Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm * Hohe Linearitat * Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy * Gruppiert lieferbar Features * Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm * High linearity * Multiple-digit array package of transparent epoxy * Available in groups Anwendungen * Miniaturlichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb * Lochstreifenleser * Industrieelektronik * Messen/Steuern/Regeln" Applications * Miniature photointerrupters * Punched tape reading * Industrial electronics * For control and drive circuits Typ Type Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array Mae A" Dimensions "A" min. max. Bestellnummer Ordering Code BPX 82 2 4.5 4.9 Q62702-P21 BPX 83 3 7.0 7.4 Q62702-P25 BPX 84 4 9.6 10 Q62702-P30 BPX 85 5 12.1 12.5 Q62702-P31 BPX 86 6 14.6 15 Q62702-P22 BPX 87 7 17.2 17.6 Q62702-P32 BPX 88 8 19.7 20.1 Q62702-P33 BPX 89 9 22.3 22.7 Q62702-P26 BPX 80 10 24.8 25.2 Q62702-P28 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS BPX 80, BPX 82 ... 89 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 80 C Lottemperatur bei Tauchlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 3 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s TS 230 C Lottemperatur bei Kolbenlotung Lotstelle 2 mm vom Gehause, Lotzeit t 5 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s TS 300 C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 32 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current ICS 200 mA Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 90 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 750 K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS BPX 80, BPX 82 ... 89 Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 440 ... 1070 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 0.17 mm2 Abmessung der Chipflache Dimensions of chip area LxB LxW 0.6 x 0.6 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 1.3 ... 1.9 mm Halbwinkel Half angle 18 Grad deg. Kapazitat Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 6 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 25 ( 200) nA 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS BPX 80, BPX 82 ... 89 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Value -A Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V -B Einheit Unit -C IPCE IPCE 0.32 ... 0.63 0.40 ... 0.80 0.5 1.7 2.2 2.7 mA mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k tr, tf 5.5 6 8 s Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 mV 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht moglich. For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite group. 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS BPX 80, BPX 82 ... 89 Relative Spectral Sensitivity Srel = f () Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Photocurrent Collector-Emitter Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Total Power Dissipation Ptot = f (TA) Directional Characteristics Srel = f () 2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS BPX 80, BPX 82 ... 89 2.54 mm spacing 0 ... 5 0.7 0.6 3.6 3.2 1.9 1.7 0.5 0.4 0.25 0.15 3.5 3.0 Chip position 7.4 7.0 2.7 2.5 Mazeichnung Package Outlines 2.1 1.5 A 0.4 A GEO06367 1.4 1.0 Collector (BPX 83) Cathode (LD 263) Mae in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS