Semiconductor Group 1
BPX 80
BPX 82 ... 89
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
feo06367 fez06365
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 440 nm bis 1070 nm
●Hohe Linearität
●Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem
Epoxy
●Gruppiert lieferbar
Anwendungen
●Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Lochstreifenleser
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
440 nm to 1070 nm
●High linearität
●Multiple-digit array package of transparent
epoxy
●Available in groups
Applications
●Miniature photointerrupters
●Punched tape reading
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
BPX 80
BPX 82 ... 89
03.96
Semiconductor Group 2
BPX 80
BPX 82 ... 89
Typ
Type
Transistoren
pro Zeile
Number of Transistors
per Array
Maße “A”
Dimensions “A”
Bestellnummer
Ordering Code
min max
BPX 82 2 4.5 4.9 Q62702-P21
BPX 83 3 7.0 7.4 Q62702-P25
BPX 84 4 9.6 10 Q62702-P30
BPX 85 5 12.1 12.5 Q62702-P31
BPX 86 6 14.6 15 Q62702-P22
BPX 87 7 17.2 17.6 Q62702-P32
BPX 88 8 19.7 20.1 Q62702-P33
BPX 89 9 22.3 22.7 Q62702-P26
BPX 80 10 24.8 25.2 Q62702-P28
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 3 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
TS230 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t≤ 5 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t≤ 5 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 32 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Semiconductor Group 3
BPX 80
BPX 82 ... 89
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 200 mA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 90 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 750 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ440 ... 1070 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A0.17 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.6 ×0.6 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H1.3 ... 1.9 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±18 Grad
deg.
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
CCE 6pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E= 0
ICEO 25 (≤200) nA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Semiconductor Group 4
BPX 80
BPX 82 ... 89
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures
Die gelieferten Bauelemente sind mit -A, -B, -C gekennzeichnet. Wegen Ausbeuteschwankungen ist jedoch die
Bestellung einer definierten Gruppe -A, -B, -C nicht möglich.
For delivery the components are marked -A, -B, -C. Due to differing yields, it is not possible to order a definite
group.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Werte
Value Einheit
Unit
-A -B -C
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2,VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.32 ... 0.63
1.7 0.40 ... 0.80
2.2 ≥0.5
2.7 mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr,tf5.5 6 8 µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter
saturation voltage
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 150 150 150 mV
Semiconductor Group 5
BPX 80
BPX 82 ... 89
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Collector-emitter capacitance
CCE =f (VCE), f= 1 MHz, E = 0
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
