Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor T 1971N 38...44 T
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N
1
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz VDRM,
VRRM
tv
j
min = -40°C tv
j
min = 0°C
3800 3900
4000 4100
4200 4300
4400 4500
V
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
ITRMSM 3700 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
ITAVM 1730
2360
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
ITSM 36
32
kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
I2t6,5·106
5,1·106A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, vD = 0,67 VDRM
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
(di/dt)cr 300 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)cr 2000 V/µs
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2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 2kA vT
typ
1,7
max
1,95 V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
tvj = tvj max V(TO)
rT
typ.
1,1
0,3
max.
1,29
0,33
V
mΩ
Durchlaßrechenkennlinien 200 A ≤ iT ≤ 6000 A
On - state characteristics for calculation
()
VABiCi Di
TTT T
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
typ.
–0,0105
0,000182
0,13062
0,008028
max.
–0,0266
0,00025
0,1662
0,005006
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25°C, vD = 6V IGT 350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25°C, vD = 6V VGT 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6V
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD 20
10
mA
mA
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V
Haltestrom
holding current
tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7ΩIH350 mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs
IL3A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
tvj = tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR250 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
tvj = 25°C,
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
tgd 2,5 µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tvj = tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tqtyp 350 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
tvj = tvj max
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Qr7mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
tvj = tvj max
ITM = 2 kA, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
IRM 220 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
RthJC 0,0086
0,0080
0,0150
0.0170
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH 0,0025
0,0050
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
76TN44
Anpreßkraft
clampig force
F 36...52 kN
Gewicht
weight
Gtyp 1200 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Maßbild / Outline
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Durchlaßkennlinie iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic
tvj = 125 °
°°
° C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
01234
VR [V]
typ max
IF (A)
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Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
vG = f (iG), VD = 6V
Parameter a b C
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms 10 1 0,5
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation
PGM (W) 20 40 60
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [m A ]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t)
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
10,0016 1,72 0,008 8,5 0,01 10
20,0022 0,39 0,0028 0,5 0,0028 0,5
30,0028 0,12 0,0028 0,12 0,0028 0,12
40,0008 0,16 0,0008 0,16 0,0008 0,16
50,0006 0,005 0,0006 0,005 0,0006 0,005
0,008 -0,015 -0,017 -
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t
/
[sec.]
Z (th) JC / [K/W]
d
k
a
()
ZRe
thJC thn
t
n
n
n
=⋅−
−
=
1
1
/
max
τ
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Sperrverzögerungsladung Qr = f ( - di/dt )
recovery charge
tvj = 125°C, ITM = 2000A,
vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
9
8
7
6
50
40
30
20
10
5
4
3
2
302010987654321
-di/dt [A/µs]
max
Qrr (mAs)
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Rückstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhängigkeit / typical dependence)
IRM = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 2000A, vR = 0,5⋅VRRM, vR = 0,8⋅VRRM
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
340
360
380
400
012345678910111213141516171819202122
d i / d t [A / µs]
I
RM
[
A
]
