Bridge Diode
■外観図 OUTLINE
14 (J534)
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
S1YB20 S1YB60 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings(指定のない場合Tl=25℃/unlessotherwisespeci
項 目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta = 40℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta = 40℃
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=0.2A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合Tl=25℃/unlessotherwisespeci
MAX1.05
MAX10
MAX20
MAX150
−40〜150
150
0.4
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj=25℃,
I2t
200 600
1素子当たりの規格値
per diode
)
)
TypeNo.