Bridge Diode
■外観図OUTLINE
14 J534
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
S1YB
600V 0.4A
•小型D
IP パッケージ
•耐久性に優れ高信頼性
•Small-DIP
•High-Reliability
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
S1YB20 S1YB60 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings指定のない場合Tl=25℃/unlessotherwisespeci
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷,Ta = 40℃
50Hz sine wave, Resistance load, Ta = 40
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=0.2A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性Electrical Characteristics指定のない場合Tl=25℃/unlessotherwisespeci
MAX1.05
MAX10
MAX20
MAX150
−40〜150
150
0.4
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj=25℃,
I2t
200 600
1素子当たりの規格値
per diode
■定格表RATINGS
Feature
特長
Package1Y Unit:mm
Weight:0.22g(typ.)
5
3.5
3.51
5
YB2
59
④①
③②
品名略号
TypeNo.
ロット記
(例)
Datecode
〜②③〜
15
J534
■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Sinewave 50Hz で測定しています。
)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
S1YB
Small DIP Bridge
Mouser Electronics
Authorized Distributor
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Shindengen:
S1YB60-7072 S1YB60-7101 S1YB60-7102 S1YB60-4062 S1YB60-4072 S1YB60-4101 S1YB60-4102