S1NBB80-7062 - Shindengen - Datasheet.Live

Bridge Diode

22 （J534）

特長

S1NBB80

デュアルインライン型

Dual In-Line Package

800V 1A

•小型D

IP パッケージ

• 端子間 3.4mm

•Small-DIP

•Pin-distance3.4mmforisolation

Package：1NA

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照

下さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。

'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS

4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH

5FSNJOBM$POOFDUJPOu

Unit:mm

Weight:0.29g（typ.）

Unit:mm

Weight:0.29g（typ.）

S1NBB80 単位

Unit

℃

V

A

A2s

V

μA

℃/W

●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci

項目

Item

記号

Symbol 条件

Conditions

品名

TypeNo.

保存温度

Storage Temperature

接合部温度

Operation Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

熱抵抗

Thermal Resistance

Tstg

Tj

VRM

Ta＝26℃*1

IO

IFSM

VF

IR

θjl

θja

50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃

50Hz正弦波，抵抗負荷

50Hz sine wave,

Resistance load

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

パルス測定，１素子当たりの規格値

Pulse measurement, per diode

IF=0.5A,

VR=VRM,

接合部・リード間

Junction to Lead

接合部・周囲間

Junction to Ambient

●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci

 MAX1.05

 MAX10

 MAX15

*1MAX68

*2MAX84

−40〜150

150

800

1

0.84

50

6

電流二乗時間積

Current Squared Time 1ms≦t＜10ms，Tj=25℃，



I2t

*1：プリント基板実装，銅箔パターン324

2

On glass-epoxy substrate, copper soldering pad area 324

*2：プリント基板実装，銅箔パターン101

2

On glass-epoxy substrate, copper soldering pad area 101

Ta＝25℃*2

１素子当たりの規格値

per diode

）

■定格表 RATINGS

■外観図 OUTLINE

2.6

6.8

S1NBB

8000

③②

④④− ①＋

③〜 ②〜

①

ロット記号（例）

Datecode

品名略号

TypeNo.

級表示（例）

Class

6.8

④④− ①＋

③〜 ②〜

③②

①

SINBB

8000

2.5

4.4

6.5

ロット記号（例）

Datecode

品名略号

TypeNo.

級表示（例）

Class

Feature