NPN POWER TRANSISTORS TRANSISTORS DE PUISSANCE TECHNOLOGICAL DATA DONNEES TECHNOLOGIQUES - General purpose Material : Silicon Matriau : Silicium Usage gnral Structure : Planar Structure : Planar - Medium current switching Commutation moyen courant ABSOLUTE RATINGS Limiting values (For encapsulated devices) = 25c and configuration VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION (En boitier dorigine) amb et configuration Prot Yoso Voeo Vego om stg 5 Type wy ) wv) vy (A) ec) ec} min. max max J.2N 2890 5) 100 80 5 2(1), 65 +200 +200 J.2N 2891 5 (1) 100 80 5 2) 65 +200 +200 J.7172 15(2) 80 60 5 2a) 65 +175 9 +175 J.72 72 15(2) 80 60 5 2) ~65 +175 +175 (1) When mounted in TO-39 case, tease = 25C Quand fa pastifle est monte en boitier TO-39, tease (2} When mounted in F-88 case, t, ase = 259C Quand Ia pastille est monte en boitier F-88, tease = 25C = 25C MECHANICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES MECANIQUES Front metallization : Aluminium (Emitter-base} Mtallisation face avant : Aluminium (Emetteur-base) Back metallization : Gold (Collector) See page 60 Mtallisation face arrire : Or (Collecteur) Voir page 60 All dimensions in um Dimensions en um 21 AN Emitter Emetteur 300 J.2N 2890, J.2N 2891, J.71 72, J.72 T2 300 Dimensions : 1350 x 1350 Thickness : 180 Dimensions Epaisseur 928J.2N 2890 J.172,J.72 72 STATIC CHARACTERISTICS (Tested with contact probes)* CARACTERISTIQUES STATIQUES (Mesures sous pointes} tamb = 25C temes0 / 'o | Mipriceo/ 'c | Vierieso / 'e Type (Vv) (uA) {v) (mA) (v} (uA) 'cpo / ce Wal / Ww) bore lg Yee (A) (v) max. min, max. J.2N 2890 100 100 80 100 5 10 0,1 (1) 30 690 1 2 J.2N 2891 100 100 80 100 5 10 0,1 (1) 50 150 1 2 J.71 72 80 100 60 100 5 100 0,3 (1) 30 690 1 2 J.72 72 80 100 60 100 5 100 0,3 (1) 76 200 1 2 * Pulsed (1) lagy/Veg = 60V, Vap =-2V En impulsions CEX' "CE BE DYNAMIC CHARACTERISTICS (For encapsulated devices) tamb = 25C CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (En boftier dorigine) am fr / o C22b tart, / ttt hate / le Type (MHz) (mA} (pF) (us) (ust {mA} min max max max min. max J. 2N 2890 30 50 70 0,3 1,5 30 250 50 J,2N 2891 30 50 70 0,3 1,5 50 350 50 OTHER CHARACTERISTICS (For encapsulated devices) tamb = 25C AUTRES CARACTERISTIQUES (En boitier d'origine} oEx Voce tj VoEsat lo 'g Type ima) v} (ec) (v} (A) (Ab VBesat 'c lg wv} (A) (A) max max max. J.2N 2890 0,1 60 150 0,75 2 0,2 1,3 2 0,2 J.2N 2891 0,1 60 150 0,75 2 0,2 1,3 2 0,2 3.7172 1,5 2 0,2 1,6 2 0,2 J.72 T2 1,5 2 0,2 1,6 2 0,2 Acceptance requirements, inspection level and AQL : see General Information page 55 to 71 Conditions de contrdje, niveaux de prlvement et NOA : voir Informations Gnrales page 55 4 77 929