PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TRANSISTORS SILICIUM PNP, BASE EPITAXIEE Compl. of 2N 5490 series 2N 6107 2N 6103 2N 6111 - LE large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance - High current switching Commutation a4 fort courant Dissipation and Ig/g derating Variation de dissipation et de Isp 100% | ws AS ~ \ sip 50 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE 30V 2N 6111 VCEO 50V 2N 6109 -70V 2N 6107 Ic - 7A Prot 40 W Plastic case TO 220 AB See outline drawing CB-117 on last pages Boitier plastique Voir dessin cot CB-117 dernires pages Z Prot 8 t 261+-++ E | L Weight :|2g Collector is connected to case 50 100 180 ty agg (PC) Masse Le coltecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires} 2N 6107. 2N6109 2N6111 Collector-base voltage Vv _ _ - Tension collecteur-base cBO 80 60 40 v Collector-emitter voltage Vv _ _ - Tension collecteur-metteur CEO 70 50 30 v Collector-emitter voltage Ro-=1 Vv ~ _ _ Tension callecteur-metteur BE 0022 CER 80 60 40 v Emitter-base voltage iv _ _ _ Tension metteur-base EBO 5 5 5 v Collector current I _ _ _ Courant collecteur Cc 7 7 7 A Base current Courant base '5 - 3 - 3 - 3 A Power dissipation Pp. 4 Dissipation de puissance tot 40 40 9 w Junction temperature t Temprature oe jonction max J 150 150 180 c Storage temperature min t 65 ~ 65 65 c Temprature de stockage max stg +150 + 150 + 150 C 74-10 V5 THOMSON - CSF DWISION SEMICONDUCTEURS 4252N 6107, 2N 6109, 2N 6111 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Saut indications contraires} Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vee =-60V CE 2N 6107 -1 mA Ip =0 Collector-emitter cut-off current Voge = 40V Courant rsiduel coliecteur-metteur Ip E =0 ceo 2N 6109 -1 mA Vee =-20V ae 2N 6111 -1 mA B 7 a Veg =-75V Var =1,5V 2N 6107 ~0,1 mA Vcop = 70V Vee = 15V 2N 6107 ~2 mA = , tcase = 150 C Ver = 56V CE _ Ven = 15V 2N 6109 0,1 mA Collector-emitter cut-off current Icex Courant rsiduel coliecteur-metteur Voce =50V Vag = 15V 2N 6109 2 mA tease ~ 150 C Vac =-37,5V CE - Ven = 15V 2N 6111 0,1 mA Voce =-30V Vee = SV 2N 6111 -2 mA tease = 150C Veg = -75V CE Ree = 1009 2N 6107 -0,1 mA Voce =70V Rog = 100 2 2N 6107 -2 mA tease ~ 150C Vee = -55V CE Rog = 10022 2N 6109 -0,1 mA Collector-emitter cut-off current = { Courant rsiduel collecteur-metteur Voge = -50V CER Ree = 100 Q 2N 6109 ~2 mA tease = 150C Vege = -35V cE Roe = 100.2 2N 6111 0,1 mA VcE =-30V Reg = 1002 2N 6111 -2 mA tease ~ 150C * Pulsed to =300us 5 < 2% impulsions 2/5 4262N 6107, 2N 6109, 2N 6111. STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES toage = 25C {Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Emitter-base cut-off current Veg =-8V 1 Courant rsiduel metteur-base le 0 BO -1 mA = 2N 6107 | 70 Vv Collector-emitter breakdown voltage | | =~100mA | ,, *! on 6109 | 50 V Tension de claquage collecteur-6metteur lp =0 CEO(sus) 2N 6111 -30 Vv I =100 mA 2N 6107 | 80 Vv Collector-emitter breakdown voltage Cc Vv * Tension de claquage collecteur-metteur Ree = 100 2 CER(sus) | 2N 6109 | 60 Vv : L =2mH 2N 6111 -40 Vv (Fig. 1) Voge =-4V 2N 6107 | 30 150 Iq =-3A =~4V Wee oa 2N 6109 | 30 150 Static forward current transfer ratio c ' * Valeur statique du rapport de transfert hoy E direct du courant V =-4V oe aa 2N 6111 | 30 150 c =- Vog =-4V 5 Ico =-6,5A { =-3A Cc _ ip =-03A 2N 6107 1 Vv I =-2,5A Cc . _ i, =-025A 2N 6109 1 v Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur CEsat le =-2A Ip =-O.2A 2N 6111 -1 Vv | =-6,5A c * _ tg = 163 A 2 v Vv 4V CF 3A 2N 6107 1,5 Vv C - Base-emitter voltage Vee =-4V Voc* . Tension base-6metteur lo =-25A BE 2N 6108 -1,5 v Woe = 73% 2N6111 1,5 v c = * Pulsed to =300us 5 < 2% impulsions 3/5 4272N 6107, 2N 6109, 2N 6111 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) t = 25C (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux)} case (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vop =~4 Forward current transfer ratio CF Lg y A h 20 Rapport de transfert diract du courant Cc C" 21e f = $0 KHz Transition f Vee =-4V ransition frequency =_ Frquance de transition | 0,5 A fr 10 MHz f = 1 MHz Output capacitance Veep =-10V Capacit de sortie f =1MHz Cop 250 pF THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Ryay: Rsistance thermique (jonction-boitier} th{j-c) 3,13 caw Junction-ambient thermal resistance Rene: Rsistance thermique {janction-ambiante} thi-a) 70 CAN 50 Hz 0 * bey 1 =2mH []100.0 100 2 152 + OY 0>10V a ar q 4/6 4282N 6107, 2N 6109, 2N 6111 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 0,5 case = CONTINUOUS amen Continu 0,2 2N 6111 2N 2N 61 0,1 1 2 5 10 20 50 Vogtv) 5/5 429