Bridge Diode
20 （J534）
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
S1NB□
800V 1A
•小型D
IP パッケージ
•Small-DIP
■定格表 RATINGS
S1NB80S1NB60S1NB20
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，
Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,
Ta=25℃
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=0.5A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespeci
MAX1.05
MAX10
MAX15
MAX68
−40〜150
150
1
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
I2t
200 600 800
１素子当たりの規格値
per diode
）
）
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
Unit:mm
Weight:0.29g（typ.）
Package：1N（SMD）
Unit:mm
Weight:0.29g（typ.）
Package：1N
（THD）
■外観図 OUTLINE
2.6
6.8
S1NB
6094
③②
④④− ①＋
③〜 ②〜
①
10
ロット記号（例）
Datecode
品名略号
TypeNo.
級表示（例）
Class
6.8
④④− ①＋
③〜 ②〜
③②
①
S1NB
6099
6.5
ロット記 号（例）
品名略号
TypeNo.
級表示（例）
Class
Datecode
2.5
4.4
Feature
特長
21
（J534）
＊ Sinewave は 50Hz で測定しています。
＊)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
S1NB□
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Small DIP Bridge