SFH 480
GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 481 SFH 482
2001-02-22 1
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
• SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43
• SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
•Sensorik
• Lichtgitter
Features
• GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• SFH 480: Same package as SFH 216
• SFH 481: Same package as BPX 43
• SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65
Applications
• Photointerrupters
• IR remote control of various equipmet
• Sensor technology
• Light-grille barrier
2001-02-22 2
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 480 Q62703-Q1087 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-Raster
(1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
cathode marking: projection at package
SFH 480-2/3 Q62703-Q5195
SFH 481 Q62703-Q1088
SFH 481-1/2 Q62703-Q4752
SFH 481-2/3 Q62703-Q4753
SFH 482 Q62703-Q1089
SFH 482-1/2 Q62703-Q4771
SFH 482-2/3 Q62703-Q4754
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2001-02-22 3
Grenzwerte (TC=25
°
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482
Top;Tstg –40
¼
+125
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 481
Top;Tstg –40
¼
+100
°
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF200 mA
Stoßstrom, tp
=
10
m
s, D=0
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJC
450
160 K/W
K/W
Kennwerte (TA=25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF= 100 mA
l
peak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF=100mA
Dl
80 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
j
j
j
±
6
±
15
±
30 Grad
deg.
2001-02-22 4
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.16 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L
´
B
L
´
W0.4
´
0.4 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
H
H
H
4.0
¼
4.8
2.8
¼
3.7
2.1
¼
2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten, Ievon 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF= 100 mA, RL=50
W
Switching times,
I
efrom 10% to 90% and from
90% to 10%, IF= 100 mA, RL=50
W
tr,tf0.6/0.5
m
s
Kapazität
Capacitance
VR=0V,f=1MHz
Co25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF= 100 mA, tp=20ms
IF=1A,tp= 100
m
sVF
VF
1.50 (
£
1.8)
2.4 (
<
3.0) V
V
Sperrstrom,
Reverse current
VR=5V
IR0.01 (
£
1)
m
A
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF= 100 mA, tp=20ms
F
e12 mW
Temperaturkoeffizient von Iebzw.
F
e,
IF= 100 mA
Temperature coefficient of Ieor
F
e,
IF= 100 mA
TCI–0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF=100mA
Temperature coefficient of VF,IF= 100 mA TCV–2 mV/K
Temperaturkoeffizient von
l
,IF= 100 mA
Temperature coefficient of
l
,IF= 100 mA TC
l
+0.25 nm/K
Kennwerte (TA=25
°
C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2001-02-22 5
Gruppierung der Strahlstärke Iein Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
W
=0.01sr
Grouping of Radiant Intensity Iein Axial Direction
at a solid angle of
W
=0.01sr
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
480-2 SFH
480-3 SFH
481 SFH
481-1 SFH
481-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF= 100 mA, tp=20ms Iemin
Iemax
>40
–>63
–
³
10
–10
20 16
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF=1A,tp= 100
m
sIetyp
.540 630 220 130 220 mW/sr
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
482 SFH
482-1 SFH
482-2 SFH
482-3 SFH
482-M
E7800
1)
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da
b
bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt.VonderBodenplatte reflektierte Strahlung(vagabundierende Strahlung)wirddagegen nichtbewertet.Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
gro
b
er Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me
b
verfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Grö
b
e. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) willnot be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
Strahlstärke
Radiant intensity
IF= 100 mA, tp=20ms Iemin
Iemax
³
3.15
–3.15
6.3 5
10 8
–1.6 ... 3.2
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF=1A,tp= 100
m
sIetyp
.– 406580– mW/sr
2001-02-22 6
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Radiation Characteristics, SFH 480 Irel =f(
j
)
Radiation Characteristics, SFH 481 Irel =f(
j
)
Radiation Characteristics, SFH 482 Irel =f(
j
)
OHR01888
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHR01889
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
OHR01890
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2001-02-22 7
Relative Spectral Emission
Irel =f(
l
)
Forward Current,I
F=f(VF)
Single pulse, tp=20
m
s
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
SFH4881b
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
mA
Ι
F
1 2 3 4 5
Radiant Intensity
Single pulse, tp=20
m
s
Permissible Pulse Handling
Capability IF=f(
t
), TC=25
°
C,
duty cycle D= parameter
Ie
Ie100 mA =f(IF)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
t
OHR00948
p
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.010.020.05
t
p
T
Ι
F
t
p
T
D
=
5
mA
D
=
Max. Permissible Forward Current
SFH 481, IF=f(TA,TC)
Max. Permissible Forward Current
SFH 480, SFH 482,
IF=f(TA,TC)
T
OHR00946
A
0
F
Ι
0 20 40 60 80 100
˚C
40
80
120
160
200
mA
240
,
T
C
= 450 K/W
thJA
R
R
thJC
= 160 K/W
T
OHR00396
A
0
F
Ι
0
˚C
40
80
120
160
200
mA
240
,
T
C
= 450 K/W
thJA
R
R
thJC
= 160 K/W
20 40 60 80 100 130
2001-02-22 8
SFH 480, SFH 481, SFH 482
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
ø5.6 (0.220)
ø5.3 (0.209)
2.54 (0.100)
spacing
ø0.45 (0.018)
Cathode (SFH 480)
2.7 (0.106)
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
5.3 (0.209)
5.0 (0.197)
ø4.8 (0.189)
ø4.6 (0.181)
GEOY6314
7.4 (0.291)
6.6 (0.260)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
Anode
Radiant
Sensitive area
Chip position (SFH 216, SFH 400)
SFH 480
5.3 (0.209)
5.0 (0.197) 6.4 (0.252)
5.6 (0.220)
ø4.8 (0.189)
glass
lens
welded
Anode
Cathode = SFH 481
= SFH 401
GETY6091
(package)
ø4.6 (0.181)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.3 (0.209)
ø5.6 (0.220)
spacing
2.54 (0.100)
ø0.45 (0.018)
(2.7 (0.106)) Chip position
12.5 (0.492)
14.5 (0.571)
SFH 481
5.5 (0.217)
5.0 (0.197)
ø5.3 (0.209)
ø5.0 (0.197)
GETY6013
Chip position
Cathode (SFH 402, BPX 65)
Anode (SFH 482)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.3 (0.209)
ø5.6 (0.220)
2.54 (0.100)
spacing
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø4.6 (0.181)
ø4.8 (0.189)
sensitive area
Radiant
(2.7 (0.106))
ø0.45 (0.018)
SFH 482
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2001-02-22 9
Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
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Attention please!
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shallhave to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1may only be used in life-support devices or systems 2with the express written approval of OSRAM OS.
1A criticalcomponentis a component used in alife-supportdevice or system whose failure can reasonably beexpected
to cause the failure ofthat life-support device or system, or to affect its safety oreffectiveness of that device or system.
2Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
