Doubles transistors PNP/NPN silicium * 2N 4854 Planar pitaxiaux * 2N 4855 Dual PNP/NPN silicon transistors Epitaxial planar * Dispositif recommand Prefered device - Transistors complmentaires non apparis Donnes principales pour applications moyenne puissance Principal features Unmatched complementary transistors for medium power applications - Amplification HF et BF LF and HF amplification - Commutation moyenne vitesse VcEo 40 v Medium speed switching 2N 4854 identique a 2N 2222/2N 2907 Ic 600 mA 2N 4854 similar to 2N 2222/2N 2907 100 - 300 2N 4 2N 4855 identique 4 2N 2221/2N 2906 . 485 2N 4855 similar to 2N 2221/2N 2906 hig (150 mA) { 40 - 120 2N 4855 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot EN Boitier F100 iN [ Case 15 1 1 Kay - 1 N = 06 pI PNP 0,3 bantu (2) / i ltt) tamb(C) (1) (2) 025 50 100-150 175 tease (C) (3) (4) Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamp=25C ; Absolute ratings (limiting values) VSaut j ndivations Sontraires} Tension collecteur-base Vv Collector-base voltage Tension collecteur-metteur Tom = 600 mA Vv 40 Vv Collector-emitter voltage tb <104s <2% CEO Tension metteur-base Vv. Emitter-base voltage EBO 5 v Tension collecteur 1 - collecteur 2 +120 Vv Collector 1 - collector 2 voltage 7 Tension maximale garantie entre boitier et connexions +120 7 Lead-to-case voltage ~~ Courant collecteur ! Collector current Cc 600 mA t 25 _1lment_(1) 03 woos + 2 b= D> Blamonte 1911 Dissipation de puissance am 2 lments (2) P 06 Power dissipation t caee Lslment (3) tot 1 w case ~ 2 lments (4) 2 Temprature de jonction t Junction temperature max. J 175 c Temprature de stockage min. t 65 c Storage temperature max. stg +200 1970-06 1/42N 4854 * 2N 4855 * Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics ( Sauf indications contraires} (Unless otherwise specified) Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor Min. | Typ. | Max.) Min, | Trp. | Max. | ol i 10 nA Courant rsiduel collecteur-base t = I Colfector-base cut-off current E CBO Veg =50V 10 BA tamb = 150C t = Courant rsiduel metteur-base c Emitter-base cut-off current Vep =3V leBo 10 nA l =0 Tension de claquage collecteur-base E Vv Collector-base Dreskdown voltage lo =10 yA (BR)CBO) 60 Vv : ! =0 * Tension de claquage collecteur-metteur B Vv Collector-emittar breakdown voltage le =10mA (BR)CEO| 40 v ; t =0 Tension de claquage metteur-base c Emitter-base breakdown voltage Ip = 10pA Viereso| 5 Vv le =150mA | 2N 4854 ho. 50 Veg =1V 2naess| 2'E [30 le = 100HA | 2N 4854 35 Voce = 10V 2N 4855 hoy 20 lo = 1mA_ | 2naa54 E \"s0 Voge = 10V 2N 4855 25 Valeur statique du rapport du transfert = direct du courant Ppe ; Ig = 10mA 2N 4854 75 Static forward current transfer ratio Ver =10V 2N 4855 35 Ig =150mA | 2N 4854 hoo 100 300 Veg =10V [anaass| 27 | a0 120 'o = 300mA | 2N 4854 36 _ Voge = 10V 2N 4855 20 Ig =150mA Tension de saturation collecteur-metteur 1 Collector-emitter saturation voltage VoEsat 0,4 v t B = 15 mA lo = 150 mA Tension de saturation base-metteur Vv * Base-emitter saturation voltage lg = 15ma BEsat | 0,75 1,2 Vv * Impulsions =300us 5 < 2% Pulsed p 2/4* 2N 4854 * 2N 4855 Caractristiques gnrales & tamh = 25C General characteristics (Saut indications contraires ) (Unless otherwise specified) Caractristiques dynamiques pour chaque transistor lmentaire (pour petits signaux) Oynamic characteristics for each elementary transistor (for small signals) ' Max. Perameter Teal conditions x f = 1kHz 2N 4854 60 300 Rapport de transfert direct du courant tumb = 55C Forward current transfer ratio hote lo = 1mA Vee = 10V | on ags5 30 150 2N 4854 1,5 9 impd d f = 1kHz mpdance dentre lophet impedance lg = imA M41e k& Vee = 10V 2N 4855 0,75 45 f = 1kHz Admittance de sortie i = 1mA Output admittance c m ho2e 50 us Vee = 10V f = 100 MHz Frquence de transition Vv = 10V Transition frequency CE fr 200 MHz lo = 20mA f = 1MHz Capacit de sortie Vv = 10V Output capacitance CB _ (225 8 pF le = o = 100 pA Voce = 10V Facteur de bruit Rg = 1 kQ Noise figure F 8 dB f = 1kHz Af = 200Hz Caractristiques de commutation pour chaque transistor lmentaire Switching characteristics for each elementary transistor le = 150 mA Retard a la croissance (Fig. 1) Ip * 15 mA ty 20 ns Delay time VBE ws 0,5V 3/42N 4854 * 2N 4855 * Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques de commutation pour chaque transistor lmentaire Switching characteristics for each elementary transistor Temps de croissance . Rise time (Fig. 1). Ip 4715 mA 40 ns lc #150 mA Retard a ta dcroissance . ! = 15 mA Storage time (Fig. 2) p #18 mA 280 ns B2 ~7m lo *150 mA Temps de dcroissance (Fig. 2) I 15 mA 70 ns Fall time : 21 215 mA B2 "7'ym Figure 1 200 2 +30 V +9,9V Sortie Entre 620.0 Va Output input 1 0,5 V __-} Entre ', Input d, ! i " id a a 1 | 1 1 1 { Gnrateur : Zs =502 10% -------- IN Generator t <1ns ! ! I v t ! | I t I Oscilloscope: t, <5ns R,, 2100 ko | merci ---- ~-90% Oscilloscope C <12pF " sortie ' Output Figure 2 200 2 +16,2 V ~-WVW4_ +30 Vv ; Entre v,, Sortie 13,8 V input ___0 V, Output 1 1k2 {te Sortie 4 +_ Output Entre input 1N 916 ON