2N4401
2N4401
General Purpose NPN Transistors
General Purpose NPN-Transistoren
IC= 600 mA
hFE ~ 200
Tjmax = 150°C
VCEO = 40 V
Ptot = 250 mW
Version 2017-12-06
TO-92 (10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54) 4000 Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren 2N4403
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
2N4401
Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 40 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 60 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom DC IC600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 4)
IC = 0.1 mA, VCE = 1 V
IC = 1 mA, VCE = 1 V
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 150 mA, VCE = 1 V
IC = 500 mA, VCE = 2 V
hFE
20
40
80
100
40
–
–
–
–
–
–
–
–
300
–
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
16
23.5
18
9
2 x 2.54
E B C
2N4401
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1)
IC = 150 mA, IB = 15 mA
IC = 500 mA, IB = 50 mA VCEsat
–
–
–
–
0.40 V
0.75 V
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 1)
IC = 150 mA, IB = 15 mA
IC = 500 mA, IB = 50 mA VBEsat
0.75 V
–
–
–
0.95 V
1.2 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCE = 35 V, VEB = 0,4 V ICBV – – 100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VCE = 35 V, VEB = 0,4 V IEBV – –- 100 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
IC = 20 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz fT250 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 5 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz CCBO – – 6.5 pF
Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität
VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz CEBO – – 30 pf
Switching times – Schaltzeiten (between 10% and 90% levels)
delay time
rise time
VCC = 30 V, VEB = 2 V
IC = 150 mA, IB1 = 15 mA
td– – 15 ns
tr– – 20 ns
storage time
fall time
VCC = 30 V, IC = 150 mA,
IB1 = IB2 = 15 mA
ts– – 225 ns
tf– – 30 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
