Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode 5.1 4.7 0.8 0.4 1.8 1.2 Radiant sensitive area Cathode 2.54 mm spacing 0.6x0.5 0.4x0.3 Area not flat 6.9 6.3 0.8 SFH 206 K 4.0 4.1 3.7 34 32 feo06647 GEO06647 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Features Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm Short switching time (typ. 20 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen Computer-Blitzlichtgerate Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Applications Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 206 K Q62702-P129 Semiconductor Group 1 1999-02-04 SFH 206 K Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 230 C Sperrspannung Reverse voltage VR 32 V Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Ptot 150 mW Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V Spectral sensitivity S 80 ( 50) nA/Ix Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 400 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 7.00 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 2.65 x 2.65 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 1.2 ... 1.4 mm Halbwinkel Half angle 60 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current IR 2 ( 30) nA Semiconductor Group 2 LxW 1999-02-04 SFH 206 K Kennwerte (TA = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (TA = 25 C, standard light A, T = 2856 K) (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.90 Electrons Photon Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix Open-circuit voltage VO 365 ( 310) mV Kurzschlustrom, Ev = 1000 Ix Short-circuit current ISC 80 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 20 ns Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 72 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC TCI 0.18 %/K Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm NEP 4.2 x 10- 14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 10 V, = 850 nm Detection limit D* 6.3 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 1999-02-04 SFH 206 K Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) OHF00078 100 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF00394 160 mW Ptot 140 S rel % 80 120 100 60 80 40 60 40 20 20 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 0 Dark current IR = f (VR), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 0 20 40 60 80 C 100 TA Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0 OHF00082 10 3 R nA 10 2 10 1 10 0 10 -1 0 20 40 60 80 C 100 TA Directional characteristics Srel = f () 40 30 20 10 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 1999-02-04