1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal-Schaltdioden
IFAV = 150 mA
VF1 < 0.855 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 100 V
IFSM1 = 1 A
trr < 4 ns
Version 2019-09-25
SOD-123F
Dimensions - Maße [mm]
Type Code =
D1 / D2 / W1 / W2
1N4448W-AQ = D2
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)
Features
Low profile plastic package
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Flaches Kunststoff-Gehäuse
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMELF
SOD-323F
= 1N4148 1N4448
= LL4148 LL4448
= LS4148 LS4448
= MCL4148 MCL4448
= 1N4148WS 1N4448WS
Maximum ratings 1) Grenzwerte 2)
1N4148W/-Q, 1N4448W/-AQ
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 400 mW 2)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC IFAV 150 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 3)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
0.5 A
1 A
4 A
Reverse voltage
Sperrspannung VR75 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung VRRM 100 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
1 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.6
±0.1
0.6
±0.1
3.8
±0.3
2.7
±0.2
Type
Code
0.12
+0.05
1.0
+0.3
0.2
_
1N4148W, 1N4448W
Characteristics Kennwerte
1N4148W
/-Q
1N4448W
/-AQ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF =
1 mA
5 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VF
< 0.715 V
–
< 0.855 V
< 1 V
< 1.25 V
–
0.62...0.72 V
< 0.855 V
< 1 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C VR = 20 V
75 V IR
< 25 nA
< 1 µA
< 25 nA
< 100 nA
Leakage current
Sperrstrom Tj = 150°C VR = 20 V
75 V IR
< 30 µA
< 50 µA
< 30 µA
< 50 µA
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CTtyp. 2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug trr < 4 ns 1)
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 312 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2
