BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S
BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottky-Dioden
IFAV = 200 mA
VF1 < 0.24 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 30 V
IFSM = 600 mA
trr < 5 ns
Version 2020-06-17
SOT-23
(TO-236)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Single
Diode
BAT54/-Q/-AQ
1 = A 2 = n. c. 3 = C
Type
Code
L4
Common
Cathode
BAT54C/-Q
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Type
Code
L43
Common
Anode
BAT54A/-Q/-AQ
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Type
Code
L42
Series
Connection
BAT54S/-Q/-AQ
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Type
Code
L44
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil) TA = 25°C Ptot 290 mW 3)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC IFAV 200 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 3)
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s IFSM 600 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 30 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
21
3
2
3
1
21
3
21
3
BAT54, BAT54A, BAT54C, BAT54S
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 0.1 mA
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 30 mA
IF = 100 mA
VF
< 240 mV
< 320 mV
< 400 mV
< 500 mV
< 1000 mV
Leakage current – Sperrstrom 1) VR = 25 V IR< 2 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz CT10 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 400 K/W 2)
2
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[A]
IF
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2
2
