Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial planar Planepox 2N 3395 2N 3396 2N 3397 2N 3398 - Amplification BF petits signaux LF small signal amplification - Commutation faible courant Low current switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation 2K Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEo 25 V 150 - 500 2N 3395 hore (2 mA) 90 -500 2N 3396 55-500 2N 3397 55 - 800 2N 3398 et. Sesmsenn Prot (mw) . Boitier plastique TO-98 150 \ Plastic case 100 | \ 50 0 tamblC) 0 25 50 75 100 Valeurs limites absolues d'utilisation a tamp= 25C Absolute ratings (limiting values) Parambtre Poranater Tension collecteur-base v Colfector-base voltage CBO 25 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Voeo 25 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage Veso 5 v Courant collecteur Collector current Ic 100 mA Dissipation de puissance Power dissipation Prot 200 mW Temprature de jonction t Junction temperature max ] 100 c _ . _ a Temprature de stockage min. t 55 Storage temperature max. stg +4125 c J 1970-08 1/22N 3395 2N 3396 2N 3397 2N 3398 Caractristiques gnrales a tam = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Saut indications contraires) {Unless otherwise specified) Paramtre Conditions de mesure Min. | Typ. | Max. Parameter Jest. conditions Mion. Tyg. Max. \ =0 E 0,1 Vep=25 V Courant rsiduel collecteur-base {oo} A Collector-base cut-off current | =0 t E = CBO Vop=25 V 10 tamp= 100C | = Courant rsiduel metteur-base c ! 1 Emitter-base cut-off current Veg=5 Vv EBO 9, HA 2N 3395 150 500 Valeur statique du rapport du transfert I, = 2N 3396 90 500 direct du courant p Cc =2mA hore Static forward current transfer ratio Voge= 45V 2N 3397 55 500 2N 3398 55 800 Lo Caractristiques dynamiques (pour petits signaux} Dynamic characteristics (for small signals) 2N 3395 150 800 Io =2mA c 90 Rapport de transfert direct du courant Vac=4,5 V 2N 3396 hote 800 Forward current transfer ratio CE 2N 3397 55 800 f =1kHz 2N 3398 55 1250 | c ited Vep=l0Vv i apacit de sortie _ Cc. Output capacitance le = 0 22b 45 10 pF | f =1MHz 2/2