PNP SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE TRANSISTOR PNP SILICIUM, HOMOBASE A Devices under CCQ (1971 n 100) * 2N 3055 S Dispositifs soumis au Contrle centralis de qualit (1971 n 100) - LF large signal amplification Amplification BF grands signaux de puissance - High current switching Commutation fort courant - Thermal fatigue inspection Contrl en fatigue thersnique Dissipation derating Variation de dissipation 2K Preferred device Dispositif recommand Climatic class 55/125 / 56 Catgorie climatique Vv 60 V CEO le 15A Prot 117 W _ Reh(j-c) 1,5 C/W max. hoqe (4A) 20 - 70 fr 0,8 MHz min. Case TO-3 See outlinedrawing CB-19 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100 % Bottorn view E ; \ Vue de dessous 75 IN | \ | 50 t N \ O ON = 25} N B | 1 Weight : 14,4g Collector is connected to case 0 50 100 150 tage} Masse Le collecteur est reli au bojtier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case {Sauf indications contraires) Coilector-emitter voltage Vv v Tension collecteur-metteur CEO 60 Collector-emitter voltage Ror= 100 22 Vv 70 Vv Tension collecteur-metteur BE 0 CER Collector-emitter voltage = Tension collecteur-metteur VB Eo 15 V Voce x 100 v Emitter-base voltage Vego 7 V Tension metteur-base Collector current lo 15 A Courant callecteur Base current lp 7 A Courant base | wae == 96 Power dissipation tease = 25C Prot 117 Ww Dissipation de puissance Junction temperature max qf + 200 C Temprature de jonction 73-10 1/6 THOMSON - CSF 291 DVISION SEMIGONDUCTEURS,. AN*2N 3055 S STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions _ Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Voge 30V \ Courant rsiduel collecteur-metteur Ip =0 CEO 07 mA Vep= 100 V cE Vee=15V 5 mA Collector-emitter cut-off current 1 Courant rsiduel collecteur-metteur Vee = 100 V cEXx Vee= 15V 30 mA tcase= 150C Vep=7V | Emitter-base cut-off current EB Courant rsiduel metteur-base Ig =0 lEBO 5 mA Collector-emitter breakdown voltage le = 200mA * Tension de claquaae collecteur-metteur ip =O vu BR)ICEO 80 v Collector-emitter breakdown voltage lo = 200 mA Vv * 70 Tension de claquage collecteur-metteur R BE= 100 2 {BR)CER Vv Vope4v _ CE Io =4A 20 70 \ = Static forward current transfer ratio VcE av k 5 Valeur statique du rapport de transfert le =10A Noe direct du courant Vop=4V Io =4A 10 Teage= 95C I =4A : Loan VW Vv Collector-emitter saturation voltage BOTY Vv * Tension de saturation collecteur-metteur i -=10A CEsat c= Ip =33A 25 Vv Base-emitter saturation voltage lo =10A Vv. * 4 Vv Tension de saturation base-metteur Ip =3,3A BEsat Base-emitter voltage Ip =10A * Tension base-metteur Ig =3,3A Vee 18 v DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES {pour petits signaux} r i Vep= 10V ransition frequency _ Frquence de transition Ig =1A as 0.8 MHz # =0,5 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance . . Rsistance thermique (jonction-boi tier} Ren(j-c) 15 c/w * Pulsed Imputsions ty = 300 ps 6 <2% 2/6 292*2N 3055 S SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 50 = 95 tease = 25C Continuous Continu Pulsed oa En imputsions 20 50 VeeV) THERMAL FATIGUE INSPECTION Permanent inspection of soldering quality between silicon chip and header provides maximum insurance against thermal fatigue. Pulsed test : 10 000 cycles on: 2 minutes (0 > 48 W) off: Tminute (48>0W) toase = 100C max Atoase = 85C max CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE i Le contrle permanent de fa qualit de la soudure entre la pastille de silicium et Iembase confre au transistor un maxi- mum de garantie contre la fatigue thermique. Contrle cyclique : 3/6 293*2N 3055 S TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension collecteur-metteur c (ma) Pe Y / 160 Z| vo, NX 120 \ COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE (minimum value) Tension collecteur-metteur en fonction de la rsistance base-metteur {valeur minimum) cE [1,7 S200 mA tease = 25C 75 710 65 60 2 4 68 2 468 2 468 107 Rp -(9 BE COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant callecteur en fonction de fa tension collecteur-metteur lo tease = 26C 500 Ammer (A) | A 8 300 mA " oe \ | (2 6 Leann Ig = 100 mA nt 4 7] 2 0 Qa 1 2 3 a Vogl) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant collecteur Vop=4v 2 4 68 2 468 2 #468 107 10 10" Agta)*2N 3055 S TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de fa tension base- metteur B Voe =4V may F 4 2 107 8 6 4 2 10' 8 6 4 2 10 0 0,5 i 15 Voeelv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en fonction du courant collecteur v CEsat| | {vy |4f= 10 B 2 15 I 0,5 X | COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension base-metteur 'c} Vce=4V v (A) 10! 8 6 4 2 10 8 6 4 2 10-7 0 0,5 1 1,5 Vee!V) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en fonction du courant collecteur BEsat (v) f= 10 1,6 1,2 0,8 0,4 5/6 295*2N 3055 S TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE COLLECTOR CURRENT Capacit de sortie en fonction de la Frquence de transition en fonction du tension collectait-bas courant collecteur C. f. 22b T = (pF) (MHe) Yoe = tO 8 tamb = 25C 4 ot 6 4 3 2 2 1 10? 0 (Vv) 2 4 6 Bl Pca 10"! TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimpuisions 10"! 10 1072? Pye? Prg?? tafser: 6/6 296