日本インター株式会社
QS043-401M0058 (2/4)
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ
－Ｄｕａｌ
７５ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ
ＤＣ ＩＣ ７５
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ １５０ Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ４００ Ｗ
接 合 温 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃
保 存 温 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ）
PDMB75B12C ２（２０.４）
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink PDMB75B12
３（３０
.
６）
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
Ｆｔｏｒ
２（２０.４）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ
ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ２.０ ｍＡ
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ４.０ － ８.０ Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 6,300 － ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０
下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 8Ω
ＲG= 13Ω
ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
ＤＣ Ｉ
Ｆ
７５ Ａ 順 電 流
Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １５０
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ
Ｆ= 75A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 150A/μs － ０.２ ０.３ μｓ
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ － － ０.３ 熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.６ ℃／Ｗ
０１
7(G2)
6(E2)
5(E1)
4(G1)
(C1)
3
(E2)
2
(C2E1)
1
6
8
4-f ast en tab
#110 t= 0.5
16 16 16
77
30+1.0
- 0.5
23
LABEL
2-Ø6.5
23.0 23.0 17.0
418.0 4
3-M5
16.0
±0.25
14.0
48.0
12.0
12.0
12.0 11. 0
11.0
80
94.0
1237
6
5
4
30+1.0
- 0.5
14 914 914
4-fasten tab
#110 t=0.5
7.5
21.2
7
LABEL
3-M5
12 11 12 11 12 2-Ø 5.5
7
6
5
4
12
17
35
4
4
±0.25
80
94
123
23 23 17
PDMB75B12 PDMB75B12C
日本インター株式会社
QS043-401M0058 (3/4)
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ
０１
0246810
0
25
50
75
100
125
150
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
TC=25℃
10V
9V
12V
15V
VGE=20V
8V
7V
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
TC=25℃
75A
IC=30A 150A
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
IC=30A
75A
150A
TC=125℃
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 100 200 300 400 500 600
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg
(nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
VCE=600V
400V
200V
RL=8Ω
TC=25℃
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
20000
50000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Capacitance C
(pF)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
0255075
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Collector Current I
C
(A)
Switching Time t
(μs)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
tOFF
tf
tr
tON
VCC=600V
RG=13Ω
VGE=±15V
TC=25℃
日本インター株式会社
QS043-401M0058 (4/4)
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２
ＰＤＭＢ７５Ｂ１２Ｃ
０１
01234
0
25
50
75
100
125
150
Forward Voltage VF
(V)
Forward Current I F
(A)
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
TC=25℃ TC=125℃
5 10 20 50 100 200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance RG
(Ω)
Switching Time t
(μs)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
tf
tr
ton
toff
VCC=600V
IC=75A
VGE=±15V
TC=25℃
0 150 300 450
1
2
5
10
20
50
100
200
500
-di/dt
(A/μs)
Peak Reverse Recovery Current I RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
IRrM
trr
IF=75A
TC=25℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
2x10
-3
5x10
-3
-2
2x10
-2
5x10
-2
-1
2x10
-1
5x10
-1
1
2
5
Time t
（s）
Tansient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(ﾟC/W)
fig11-Tansient Thermal Impedance
Tc=25℃
1 Shot Pulse
IGBT
FRD
1
1x10
1x10
0 400 800 1200 1600
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Collector to Emitter Voltage V CE
(V)
Collector Current I C
(A)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=13Ω
VGE=±15V
TC≦125℃
