Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9500 Vorlaufige Daten / Preliminary Data Pin 3 6.2 6.0 Pin 2 Pin 1 6.9 6.7 5.1 4.9 13.65 13.25 5.2 4.9 0.5 0.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.54 2 Circuitry 3 1 Emitter 4 Sensor GPX06988 fpx06988 6.1 5.9 (15.6) 0...0.1 2.05 1.85 0.6 0.4 (2.2) 7.1 6.9 1.1 0.9 4.0 3.8 Optical axis 10.2 9.8 (8) Pin 4 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Geeignet fur Oberflachenmontage (SMT) Kompaktes Gehause GaAs-IR-Sendediode (940 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Mit Positionspin Geeignet fur "pick and place" Montage Hohe Genauigkeit (Schlitzbreite 0,5 mm) Groe Spaltbreite zwischen Sender und Empfanger (5 mm) Hohe Stabilitat auf PCB durch groe Bauelementabmessung (6,8 mm) Features Suitable for surface mounting (SMT) Compact type GaAs infrared emitter (940 nm) Silicon phototransistor detector with daylight-cutoff filter With positioning pin Suitable for pick and place High sensing accuracy (slit width: 0.5 mm) Wide gap between emitter and detector (5 mm) High stability on pcb due to large width of device (6.8 mm) Anwendungen Geschwindigkeitsuberwachung Motorsteuerung Uberwachung des Papiervorschubs in Druckern, Kopier- und Faxgeraten Speicherlaufwerke Steuerung des Druckkopfes in Druckern Munzdetektion Optoelektronische Schalter Applications Speed control Motor control Monitoring of paper feed in printers, copiers, facsimiles Disk drives Control of print head in printers Coin detection Optoelectronic switches Semiconductor Group 1 1998-10-14 SFH 9500 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 9500 on request Schwarzes Polykarbonat Plastikgehause, Anschlusse im 2.54-mm Raster, Senderseite durch Buchstaben "E", Empfangerseite durch Buchstaben "S" gekennzeichnet, Kathode / Transistoremitter durch schrage Kante gekennzeichnet Black polycarbonate plastic material housing, solder tabs 2.54-mm (1/10") spacing, emitter side marked with letter "E", sensor side marked with letter "S", cathode / emitter of transistor marked with edge at an angle Grenzwerte TA = 25 C Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Durchlastrom Forward current IF (DC) 60 mA Verlustleistung Power dissipation Ptot 100 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 280 K/W Semiconductor Group 2 Sender (GaAs-Diode) Emitter (GaAs Diode) 1998-10-14 SFH 9500 Grenzwerte TA = 25 C (cont'd) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kollektor-Emitter-Spannung Collector-emitter voltage VCE 30 V Kollektor-Emitter-Spannung, (t 2 min) Collector-emitter voltage VCE 70 Emitter-Kollektor-Spannung Emitter-collector voltage VEC 7 Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Verlustleistung Total power dissipation Ptot 150 mW Warmewiderstand Thermal resistance RthJA 280 K/W Lagertemperatur Storage temperature range Tstg - 40 ... + 85 C Betriebstemperatur Operating temperature range Top - 40 ... + 85 Elektrostatische Entladung Electrostatic discharge ESD 2 Semiconductor Group 3 Empfanger (Si-Fototransistor) Detector (Silicon Phototransistor) Gabellichtschranke Slotted Interrupter kV 1998-10-14 SFH 9500 Kennwerte TA = 25 C Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlange der Strahlung Wavelength of peak emission peak 940 nm Durchlaspannung Forward voltage IF = 20 mA, tp = 20 ms VF 1.2 ( 1.4) V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V IR 0.01 ( 1) A Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz C0 16 pF Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 920 nm Spectr. Bereich der Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 840 ... 1080 nm Kapazitat Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 CCE 6.5 pF Dunkelstrom, VCE = 20 V Dark current ICEO 2 ( 50) nA Semiconductor Group 4 Sender (GaAs-Diode) Emitter (GaAs Diode) Empfanger (Si-Fototransistor) Detector (Silicon Phototransistor) 1998-10-14 SFH 9500 Kennwerte TA = 25 C (cont'd) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kollektor-Emitterstrom Collector-emitter current IF = 20 mA; VCE = 5 V ICE >1 mA Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emitter-saturation voltage IF = 20 mA; IC = 0.3 mA VCE sat 0.4 V Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time VCC = 5 V, IC = 1 mA, RL = 1 k tr tf 13 17 s s Gabellichtschranke Slotted interrupter Lothinweise Soldering conditions Bauform Type Reflowlotung Reflow soldering Peak temp. of soldering zone SFH 9500 245 C ... 215 C Preheating 150 C Semiconductor Group Tauch-, Schwalllotung Dip, wave soldering Max. time in peak zone 10 s ... 40 s approx. 1 min. 5 - 1998-10-14 SFH 9500 Max. permissible forward current IF = f (TA) Forward current IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 s F OHFD00367 10 4 mA OHF00372 90 70 10 10 2 R thJA = 280 K/W 2 OHF00380 10 3 nA CEO F mA 10 3 Dark current ICEO= f (TA) VCE = 20 V, E = 0 60 50 10 1 10 1 40 10 0 30 10 0 20 10 -1 10 10 -2 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 V VF 4 0 10 -1 0 20 40 60 80 C TA 120 0 20 40 60 80 C 100 TA Total power dissipation for emitter and detector Ptot= f (TA) OHF00410 160 P tot Detector 140 120 Emitter 100 80 60 40 20 0 0 20 40 60 Semiconductor Group 80 C 100 TA 6 1998-10-14