Semiconductor Group 1 1998-10-14
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Wesentliche Merkmale
Geeignet für Oberflächenmontage (SMT)
Kompaktes Gehäuse
GaAs-IR-Sendediode (940 nm)
Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter
Mit Positionspin
Geeignet für “pick and place” Montage
Hohe Genauigkeit (Schlitzbreite 0,5 mm)
Große Spaltbreite zwischen Sender und
Empfänger (5 mm)
Hohe Stabilität auf PCB durch große
Bauelementabmessung (6,8 mm)
Anwendungen
Geschwindigkeitsüberwachung
Motorsteuerung
Überwachung des Papiervorschubs in
Druckern, Kopier- und Faxgeräten
Speicherlaufwerke
Steuerung des Druckkopfes in Druckern
Münzdetektion
Optoelektronische Schalter
SFH 9500
Features
Suitable for surface mounting (SMT)
Compact type
GaAs infrared emitter (940 nm)
Silicon phototransistor detector with
daylight-cutoff filter
With positioning pin
Suitable for pick and place
High sensing accuracy (slit width: 0.5 mm)
Wide gap between emitter and detector
(5 mm)
High stability on pcb due to large width of
device (6.8 mm)
Applications
Speed control
Motor control
Monitoring of paper feed in printers, copiers,
facsimiles
Disk drives
Control of print head in printers
Coin detection
Optoelectronic switches
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fpx06988
GPX06988
5.2
4.9
13.65
13.25
(2.2)
7.1
6.9
(8)
10.2
9.8
2.05
1.85 6.1
5.9
(15.6)
0...0.1
0.5
0.3
5.1
4.9
6.7
6.9
0.9
1.1
3.8
4.0
0.8
0.6
0.6
0.4
2.54
6.0
6.2
Pin 3Pin 2
Pin 4Pin 1
0.4
0.6
Emitter Sensor
3
41
2Circuitry
Optical axis
SFH 9500
Semiconductor Group 2 1998-10-14
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 9500 on request Schwarzes Polykarbonat Plastikgehäuse, Anschlüsse im
2.54-mm Raster, Senderseite durch Buchstaben “E”, Empfän-
gerseite durch Buchstaben “S” gekennzeichnet, Kathode /
Transistoremitter durch schräge Kante gekennzeichnet
Black polycarbonate plastic material housing, solder tabs
2.54-mm (1/10”) spacing, emitter side marked with letter “E”,
sensor side marked with letter “S”, cathode / emitter of transistor
marked with edge at an angle
Grenzwerte TA = 25 °C
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF (DC) 60 mA
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 100 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 280 K/W
Semiconductor Group 3 1998-10-14
SFH 9500
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-emitter voltage VCE 30 V
Kollektor-Emitter-Spannung, (t2 min)
Collector-emitter voltage VCE 70
Emitter-Kollektor-Spannung
Emitter-collector voltage VEC 7
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 150 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 280 K/W
Gabellichtschranke
Slotted Interrupter
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 40 ... + 85 °C
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 40 ... + 85
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge ESD 2 kV
Grenzwerte TA = 25 °C (cont’d)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 9500
Semiconductor Group 4 1998-10-14
Kennwerte TA = 25 °C
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs Diode)
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength of peak emission λpeak 940 nm
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 20 mA, tp= 20 ms
VF1.2 (1.4) V
Sperrstrom
Reverse current
VR= 5 V
IR0.01 (1) µA
Kapazität
Capacitance
VR= 0 V, f = 1 MHz
C016 pF
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (Silicon Phototransistor)
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 920 nm
Spectr. Bereich der Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
λ840 ... 1080 nm
Kapazität
Capacitance
VCE = 0 V, f = 1 MHz,
E
= 0
CCE 6.5 pF
Dunkelstrom, VCE = 20 V
Dark current ICEO 2(≤ 50) nA
Semiconductor Group 5 1998-10-14
SFH 9500
Löthinweise
Soldering conditions
Gabellichtschranke
Slotted interrupter
Kollektor-Emitterstrom
Collector-emitter current
IF = 20 mA; VCE = 5 V
ICE > 1 mA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter-saturation voltage
IF = 20 mA; IC = 0.3 mA
VCE sat 0.4 V
Anstiegs- und Abfallzeit
Rise and fall time
VCC = 5 V, IC = 1 mA, RL = 1 k
tr
tf
13
17 µs
µs
Bauform
Type Reflowlötung
Reflow soldering Tauch-, Schwalllötung
Dip, wave soldering
Peak temp.
of soldering zone Max. time in peak zone
SFH 9500 245 °C ... 215 °C
Preheating 150 °C10 s ... 40 s
approx. 1 min.
Kennwerte TA = 25 °C (cont’d)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 9500
Semiconductor Group 6 1998-10-14
Forward current IF=f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
Total power dissipation for emitter and
detector Ptot=f(TA)
Max. permissible forward current
IF=f (TA)
V
OHFD00367
F
10
-2
0
Ι
F
12340.5 1.5 2.5 V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
mA
T
OHF00410
A
tot
P
002040
60 80 100˚C
20
40
60
80
100
120
140
160 Detector
Emitter
T
OHF00372
A
00
Ι
F
20 40 60 80 120
10
20
30
40
50
60
70
mA
90
C
R
thJA
= 280 K/W
Dark current ICEO=f(TA)
VCE =20 V, E= 0
T
OHF00380
A
CEO
Ι
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
0
nA
20 40 60 80 100˚C