NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE BD 165 TRANSISTORS SILICIUM NPN, BASE EPITAXIEE BD 167 BD 169 Compl. BD 166, BD 168, BD 170 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE These transistors are intended for complemen- tary or quasi complementary symetry arnpli- 45V BO 165 fiers : audio driver, convergence circuits in TV VcEo 60 V BD 167 receivers, audio output stages up to 5 W. 80V BD 169 Ces transistors sont destins aux amplificateurs 4 Ic 15A symtrie complmentaire ou quasi complmentaire : Prot 20 W 6tages driver, circuits de convergence en tlvision, 6tages de sortie BF jusqua 5 W. Rih (j-c) 6,25 C/W max ho1e (150 mA) 4 min fr 3 MHz min Dissipation and Isp derating Boitier plastique TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Variation de dissipation et de | S/8 Plastic case Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100% 75 7 | Ne | 50 | N 2 | Ne E 25+ Cg | | +_ Weight : 0,7 g. Collector is connected to metal part of case 0 50 100 150 thacglC) Masse Le collecteur est reli 2 la partie mtallique du boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Uniess otherwise stated} VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indicationscoutraires} BD 165 BD 167 BD 169 Collector-base voltage V Tension collecteur-base cBo 45 60 80 Vv Fontion abiacmur motterr Vceo 45 60 80 v Hae tgenane mettre Ree= 1002} Vcer 45 60 80 v Fanion mentoor bas VeBo 5 s 5 V Couraetonecreor \c 15 1,5 15 A Couraat de arte oe collecteur ty = 20 ms lom 3 3 3 A Cone nee Ip 0,5 0,5 05 A Doneone Sea so rance tease 25C Prot 20 20 20 W Tempeserare de fonction max. ti 150 150 150 Storage temperature min. t : -65 65 65 c Temprature de stockage max. stg +150 +150 +150 C 74-10 V4 THOMSON - CSF owusion seicoanucTEURS, 461 BD 165, BD 167, BD 169 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications cantraires} Test conditions j Conditions de mesure Min. Typ. Max. vcB= . v BD 165 100 vA E = Collector-base cut-off current Voeg= 60V Courant rsiduel collecteur-base t i =0 'cBo BD 167 100 BA Verg= 80V ; cB > BD 169 100 BA E = Emitter-base cut-off current Veps 5V \ Courant rsiduel metteur-base J c =0 EBO 1 mA 0 BD 165 45 Vv : l = 100 mA Collector-emitter breakdown voltage c * Tension de claquage collecteur-metteur \g =0 VcEOtsus) BD 167 60 v BD 169 80 Vv Vee =2V cE le =0,15A 40 Static forward current transfer ratio fo Valeur statique du rapport de t fert 21E direct du courant Vv =2V cE 15 In =O05A Collector-emitter saturation voltage Ip =O5A Vv * Tension de saturation collecteur-6metteur Ip = 0,05A CEsat 9,5 Vv Base-emitter voltage Vee = 2v Vor * Tension base-metteur lo =O.5A BE 0,95 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Voge =2V Transition frequency Ll. =O05A f 3 MHz Frquence de transition Cc , T t = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Raps: Rsistance thermique (jonction-boitier) th{(j-c) 6,25 oc * Pulsed impulsions ty =300us 5 < 2% 24 462 BD 165, BD 167, BD 169 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit IclA) 0,5 = 25 toase = 25C Continuous Continu Pulsed impulsions 0,2 0,1 1 2 5 10 20 50 Vogl) we 463 BD 166, BD 167, BD 169 TRANSIENT THEAMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de la rsistance thermique en rgime dimputsions 2 6 2 6 2 195 10% 103 102 e 44 464