EGL1A ... EGL1M
EGL1A ... EGL1M
Superfast Switching Surface Mount Si-Rectifiers
Superschnelle Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage
Version 2007-04-05
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case MiniMELF
Kunststoffgehäuse MiniMELF
DO-213AA
Weight approx. – Gewicht ca. 0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Marking: 1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family”
2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below)
Kennzeichnung: 1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter”
2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten)
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
2. Cathode ring
2. Kathodenring
EGL1A 50 50 gray / grau
EGL1B 100 100 red / rot
EGL1D 200 200 orange / orange
EGL1G 400 400 yellow / gelb
EGL1J 600 600 green / grün
EGL1K 800 800 blue / blau
EGL1M 1000 1000 violett / violet
Max. average forward rectified current
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung
EGL1A...EGL1G TA = 75°C IFAV 1 A 1)
EGL1J...EGL1M TA = 50°C IFAV 1 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 8 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 25/30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.4 0.4
1.6
3.5
EGL1A ... EGL1M
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C trr [ns] 1) VF [V] at / bei IF [A]
EGL1A ... EGL1D < 50 < 1.25 1
EGL1G < 50 < 1.35 1
EGL1J ... EGL1M < 75 < 1.8 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 125°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 50 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 75 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthT < 40 K/W
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
EGL1A...D
EGL1G
EGL1J...M
T = 25°C
j
10
1
10
10
10
-1
-2
-3
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
EGL1A...EGL1G
EGL1J...EGL1M
