2009-07-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: * Spectral range of sensitivity: 400 ... 1100 nm * Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 400 ... 1100 nm * Gehause: Metall Gehause (TO-18), hermetisch dicht * Besonderheit: Basisanschluss * Geeignet bis 125 C * Hohe Fotoempfindlichkeit * Gruppiert lieferbar * Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed * * * * Special: Base connection Suitable up to 125 C HIgh photosensitivity Available in groups Applications Anwendungen * Photointerrupters * Industrial electronics * For control and drive circuits * Lichtschranken * Industrieelektronik * Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE [A] BPY 62 500 Q60215Y0062 BPY 62-3/4 800 ... 2500 Q62702P5198 BPY 62-4 1250 ... 2500 Q60215Y1113 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) 2009-07-24 1 Version 1.0 BPY 62 Maximum Ratings (TA = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 125 C Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung VCE 35 V Collector current Kollektorstrom IC 100 mA Collector surge current Kollektorspitzenstrom ( < 10 s) ICS 200 mA Emitter-collector voltage Emitter-Kollektor-Spannung VEC 7 Total power dissipation Verlustleistung Ptot 200 V mW Characteristics (TA = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Bezeichnung Symbol Werte Wavelength of max. sensitivity Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit S max 830 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% 400 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Flache A Dimensions of chip area Abmessung der Chipflache LxW Half angle Halbwinkel 8 Photocurrent of collector-base photodiode Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode ( = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V) IPCB 5.5 A Photocurrent of collector-base photodiode Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode (EV = 1000 lx, Std. Light A, VCB = 5 V) IPCB 17 A 2009-07-24 2 Unit Einheit 0.11 mm2 0.55 x 0.55 mm x mm Version 1.0 BPY 62 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Capacitance Kapazitat (VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CCE 7.5 pF Capacitance Kapazitat (VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CCB 14 pF Capacitance Kapazitat (VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) CEB 19 pF Dark current Dunkelstrom (VCE = 20 V, E = 0) ICE0 1 ( 50) nA 2009-07-24 3 Version 1.0 BPY 62 Grouping (TA = 25 C, = 950 nm) Gruppierung Group Min Photocurrent Max Photocurrent Typ Photocurrent Rise and fall time Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V EV = 1000 lx, Std. IC = 1 mA, Light A, VCE = 5 V VCC = 5 V, RL = 1 k BPY 62-2 Anstiegs- und Abfallzeit IPCE, min [A] IPCE, max [A] IPCE [A] tr, tf [s] 500 1000 2400 5 BPY 62-3 800 1600 3800 7 BPY 62-4 1250 2500 5800 9 BPY 62-5 2000 9600 12 Group Collector-emitter saturation voltage Current gain Gruppe Kollektor-Emitter Sattigungsspannung Stromverstarkung IC = IPCEmin x 0.3, Ee= 0.5 mW/cm2 Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEsat [mV] IPCE / IPCB BPY 62-2 150 140 BPY 62-3 150 220 BPY 62-4 160 340 BPY 62-5 180 550 Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 2009-07-24 4 Version 1.0 BPY 62 Photocurrent Fotostrom IPCE = f(Ee), VCE = 5 V Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f() 100 OHF04043 Srel % 80 70 60 50 40 30 20 10 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 Collector Current Kollektorstrom IC = f(VCE), I B = Parameter Collector Current Kollektorstrom IC = f(VCE), IB = Parameter 2009-07-24 5 Version 1.0 BPY 62 Dark Current Dunkelstrom ICEO = f(VCE), E = 0 Photocurrent Fotostrom IPCE / IPCE(25C)= f(TA), VCE = 5 V OHF04049 10 1 nA I CEO 10 0 10 -1 10 -2 0 5 10 15 20 25 30 V 35 VCE Collector-Base Capacitance Kollektor-Basis Kapazitat CCB = f(VCB), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom ICEO = f(TA), E = 0 OHF04050 10 4 nA OHF04053 16 pF C CB 14 I CEO 10 3 12 10 2 10 10 1 8 6 10 0 4 10 -1 2 10 -2 -25 0 25 50 0 -3 10 75 C 100 2009-07-24 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE TA 6 Version 1.0 BPY 62 Emitter-Base Capacitance Emitter-Basis Kapazitat CEB = f(VEB), f = 1 MHz, E = 0 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazitat CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0 OHF04051 8 pF C CE 7 C EB OHF04054 22 pF 18 6 16 5 14 12 4 10 3 8 6 2 4 1 0 -3 10 2 10 -2 10 -1 10 0 0 -3 10 10 1 V 10 2 Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) 2009-07-24 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VEB VCE 7 Version 1.0 BPY 62 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f() (0 3) .04 5) .03 (0 0.9 14.5 (0.571) 5.1 (0.201) 12.5 (0.492) 4.8 (0.189) 6.2 (0.244) o5.6 (0.220) o5.3 (0.209) 5.4 (0.213) GMOY6019 Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). 2009-07-24 E C B 2.54 (0.100) spacing 1.1 0.9 1.1 o4.8 (0.189) o4.6 (0.181) (2.7 (0.106)) o0.45 (0.018) (0 Radiant sensitive area Chip position (0 .04 .03 3) 5) Package Outline Mazeichnung 8 Version 1.0 BPY 62 TTW Soldering Wellenloten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve standard curve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ... 130 C 100 2 K/s 50 Zwangskuhlung forced cooling 0 0 50 100 150 200 t 2009-07-24 9 s 250 Version 1.0 BPY 62 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you - get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Anderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen konnen die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Fur weitere Informationen zu gewunschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nachstgelegene Vertriebsburo. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zuruck, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Fur Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zuruckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mussen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, mussen fur diese Zwecke ausdrucklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* durfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverstandnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems fuhren wird oder die Sicherheit oder Effektivitat dieses Apparates oder Systems beeintrachtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind fur (a) die Implantierung in den menschlichen Korper oder (b) fur die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2009-07-24 10 Version 1.0 BPY 62 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstrae 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com (c) All Rights Reserved. 2009-07-24 11