High Voltage PNP Silicon
Power Transistors
...designed for line operated audio output amplifier,
SWITCHMODE power supply drivers and other switching
applications.
•300 V to 400 V (Min) — VCEO(sus)
•1.0 A Rated Collector Current
•Popular TO–220 Plastic Package
•PNP Complements to the TIP47 thru TIP50 Series
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJE573
0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJE573
1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MJE573
1A
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
ÎÎÎ
375
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
ÎÎÎ
375
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Unclamped Inducting Load Energy
(See Figure 10)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
E
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
3.125
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
C/W
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 4 1Publication Order Number:
MJE5730/D
MJE5730
MJE5731
MJE5731A
1.0 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
300–350–400 VOLTS
40 WATTS
CASE 221A–09
TO–220AB
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
123
4
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0) MJE5730
MJE5731
MJE5731A
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
300
350
375
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) MJE5730
(VCE = 250 Vdc, IB = 0) MJE5731
(VCE = 300 Vdc, IB = 0) MJE5731A
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 300 Vdc, VBE = 0) MJE5730
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0) MJE5731
(VCE = 400 Vdc, VBE = 0) MJE5731A
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
30
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
150
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 2.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
ÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
0.03
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2.0
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
30
10
3.0
Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.02
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
0.05 0.3
1.2
hFE, DC CURRENT GAIN
5.0
VCE = 10 V
1.0 2.0
1.4
1
TJ = 150°C
20
0.50.3
0.8
0.6
0.1
VCE(sat)) @ IC/IB = 5.0
0.2
0.2
0.4
25°C
-55°C
100
50
200
150°C
-55°C
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
0.8
V, VOLTAGE (V)
1.4
1.2
0.4
0
0.6
0.2
Figure 3. Base–Emitter Voltage
0.05 0.2 2.00.1 0.50.3 1.0
DERATING FACTOR
1.0
0
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
050 175
0.8
0.6
0.4
0.2
75 100 125
Figure 4. Normalized Power Derating
SECOND BREAKDOWN
DERATING
THERMAL
DERATING
0.02 0.03
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
TJ = - 55°C
25°C
150°C
25 150
10
5.0
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
2.0
0.5
0.01
30 100
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc 500 µs
0.05
10 20
1.0ms
200 300 500
1.0
0.2
50
0.1
0.02
TC = 25°C
100 µs
MJE5730
MJE5731
MJE5732
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure
6. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
t, TIME (ms)
1.0
0.01
1 k
0.3
0.2
0.07
r(t), TRANSIENT THERMAL
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.7
Figure 6. Thermal Response
0.5
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500
0.2
SINGLE PULSE
D = 0.5
0.05
0.1
0.02
0.01
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
4
t2
Figure 7. Switching Time Equivalent Circuit
TURN-ON PULSE
VBE(off)
Vin
APPROX
.
-11 V
0 V
t3
TURN-OFF PULSE
t1 ≤ 7.0 ns
100 ≤ t2 < 500 µs
t3 < 15 ns
APPROX. +9.0 V
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
VCC
Vin
RC
RB
SCOPE
+4.0 V
Cjd << Ceb
51
t1
t, TIME (s)µ
t, TIME (s)µ
0.02 0.2 2.00.1
0.05 0.5 1.0
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 25°C
VCC = 200 V
IC/IB = 5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
Figure 8. Turn–On Resistive Switching Times Figure 9. Resistive Turn–Off Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
1.0
0.5
0.1
0.05
0.02
0.02 0.2 2.00.1
0.05 0.5 1.0
tr
td
ts
tf
TJ = 25°C
VCC = 200 V
IC/IB = 5.0
0.2
0.03
0.3
0.03 0.3
0.3
3.0
0.03 0.3
INPUT
50
50
VBB1 = 10 V
RBB2 =
100 Ω
TUT
VCE MONITOR
100 mH
VCC = 20 V
+
-
RBB1 =
150 Ω
IC MONITOR
RS =
0.1 Ω
VBB2 =
0
+
-
Test Circuit Voltage and Current Waveforms
INPUT
VOLTAGE
COLLECTOR
CURRENT
COLLECTOR
VOLTAGE
VCE(sat)
10 V
VCER
0 V
0.63 A
-5 V
0 V
100 ms
tw ≈ 3 ms
(SEE NOTE 1)
Figure 10. Inductive Load Switching
MJE171
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
ISSUE AA
TO–220AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
6
Notes
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
7
Notes
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
MJE5730/D
SWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC.
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
