1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Switching Si-Planar Diodes
Ultraschnelle Si-Planar-Dioden
Version 2012-07-03
Dimensions - Maße [mm]
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...100 V
Glass case
Glasgehäuse
~ DO-35
~ (SOD-27)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.13 g
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
LL4148, LL4150
LL4151, LL4148
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
1N4148 75 100
1N4150 50 50
1N4151 50 75
1N4448 75 100
Type
Typ
1N4148
1N4448 1N4150 1N4151
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
IFAV 150 mA 2) 300 mA 2) 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 500 mA 2) 600 mA 2) 500 mA 2)
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
tp = 1 µs
Tj = 25°C
IFSM 2000 mA 4000 mA 2000 mA
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Ptot 500 mW 2)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
1 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 1.9
±0.1
Ø max 0.5
62.5
±3
3.9
±0.4
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (T = 25°C)
Type
Typ
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Rev. recovery time 1)
Sperrverzugszeit 1)
VF [V] at/bei IF [mA] IR [nA] at/bei VR [V] trr [ns]
1N4148 < 1 10 < 25
< 5.000
< 50.000
20
75
20 (Tj = 150°C)
< 4
1N4150 0.54...0.62
0.66...0.74
0.76...0.86
0.82...0.92
8.87...1.00
1
10
50
100
200
< 100
< 100.000
50
50 (Tj = 150°C)
< 4
1N4151 < 1 50 < 50
< 50.000
50
50 (Tj = 150°C)
< 2
1N4448 0.62...0.72
< 1
5
100
< 20
< 5.000
< 50.000
25
75
20 (Tj = 150°C)
< 4
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 300 K/W 2)
1 IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA, VR = 6V, RL = 100 Ω
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
2
2
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
