SFH 203 P SFH 203 PFA feo06644 Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time 0.8 0.4 1.0 0.5 5.9 5.5 o5.1 o4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 3.85 3.35 1.8 1.2 29 27 5.0 4.2 0.6 0.4 Chip position GEO06648 feof6644 Cathode Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P) und bei 880 nm (SFH 203 PFA) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Features Anwendungen Applications Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of 880 nm (SFH 203 PFA) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Wechsellichtbetrieb Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems LWL Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 203 P (*SFH 217) Q62702-P946 SFH 203 PFA (*SFH 217 F) Q62702-P947 Semiconductor Group 1 1999-02-04 SFH 203 P SFH 203 PFA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 300 C Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 203 P SFH 203 PFA S 9.5 ( 5) - nA/Ix S - 6.2 ( 3.6) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 400 ... 1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm x mm 0.4 ... 0.7 0.4 ... 0.7 mm Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Semiconductor Group LxW H 2 1999-02-04 SFH 203 P SFH 203 PFA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 203 P SFH 203 PFA Einheit Unit Halbwinkel Half angle 75 75 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 10) 1 ( 10) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 350 ( 300) - mV VO - 300 ( 250) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 9.3 - A ISC - 3.0 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit Semiconductor Group %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10- 14 2.9 x 10- 14 W Hz D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm * Hz W 3 1999-02-04 SFH 203 P SFH 203 PFA Relative spectral sensitivity SFH 203 P Srel = f () Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA Srel = f () OHF01129 100 OHF01773 100 S rel % S rel % 80 80 60 60 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHR00883 120 F mA 100 80 R thjA = 450 K/W 60 40 40 40 20 0 400 20 600 800 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) SFH 203 PFA P 0 400 1000 nm 1200 OHF01765 10 2 A 0 600 800 1000 nm 1200 10 4 mV P 20 40 60 80 OHF01025 10 2 A 100 C 120 TA Dark current IR = f (VR), E = 0 10 3 mV V VO R OHF01026 10 4 pA 10 3 10 1 VO 10 0 10 2 10 0 10 -1 10 2 10 3 10 1 10 2 P P 10 -2 10 0 0 Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 203 P VO 10 1 20 10 1 10 1 10 2 W/cm 2 10 0 10 4 10 -1 10 0 10 0 10 1 10 Ee 10 3 lx 10 4 10 1 0 10 20 EV Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 2 V VR 30 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 4 1999-02-04