IFF450B12ME4P_B11 EconoDUALTM3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC/ Strommesswiderstand EconoDUALTM3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC/ currentsenseshunt J VCES = 1200V IC nom = 450A / ICRM = 900A PotentielleAnwendungen * Hochleistungsumrichter * Motorantriebe * Servoumrichter * USV-Systeme * Windgeneratoren PotentialApplications * Highpowerconverters * Motordrives * Servodrives * UPSsystems * Windturbines ElektrischeEigenschaften * IntegrierterStromsensor * NiedrigesVCEsat * Tvjop=150C * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures * Integratedcurrentsensor * LowVCEsat * Tvjop=150C * VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften * HoheLeistungsdichte * IsolierteBodenplatte * PressFITVerbindungstechnik * Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures * Highpowerdensity * Isolatedbaseplate * PressFITcontacttechnology * Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65C, Tvj max = 175C IC nom 450 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 900 A VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VCE sat typ. max. 1,75 2,00 2,05 2,10 V V V 5,80 6,35 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 3,30 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 1,7 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,55 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 3,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA VGEth Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 0,62 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 0,62 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 0,62 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 0,62 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 7750 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 0,62 Tvj = 150C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,25 0,17 0,19 0,19 s s s 0,05 0,05 0,06 s s s 0,37 0,46 0,49 s s s 0,08 0,18 0,20 s s s Eon 17,0 30,0 35,5 mJ mJ mJ IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 3350 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 0,62 Tvj = 150C Eoff 36,0 54,0 60,0 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC 1800 A Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP 10 s, Tvj = 150C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 0,0959 K/W -40 150 C V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 1200 V IF 450 A IFRM 900 A It 28000 25000 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. As As typ. max. 2,35 VF 1,80 1,75 1,70 IF = 450 A, - diF/dt = 7750 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C IRM 395 455 460 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 450 A, - diF/dt = 7750 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Qr 50,0 84,5 98,5 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 450 A, - diF/dt = 7750 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Erec 26,5 41,5 46,5 mJ mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 450 A, VGE = 0 V IF = 450 A, VGE = 0 V IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Strommesswiderstand/Shunt Nennwiderstand Ratedresistance TH = 20C Temperaturkoeffizient Temperaturecoefficient(tcr) 20C - 60C BelastbarkeitproShunt-Widerstand Loadcapacitypershunt-resistor TH = 80C Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink 0,136 K/W -40 min. R20 BetriebstemperaturShunt-Widerstand Operationtemperatureshunt-resistor proShunt-Widerstand/pershunt-resistor validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial V V V 150 typ. C max. 0,33 m < 30 ppm/K P 40 W Ttvjop 200 C RthJH 3,0 K/W NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 R/R 5,00 -5 P25 k 5 % 20,0 mW AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV Cu MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 14,5 13,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 12,5 10,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. 20 nH RCC'+EE' 1,15 m -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlusse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 Gewicht Weight max. LsCE Tstg Hochstzulassige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature > 200 min. G 345 125 C 125 C 6,00 Nm 6,0 Nm g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 4 V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 900 900 750 750 600 600 IC [A] IC [A] Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 450 450 300 300 150 150 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=0.62,RGoff=0.62,VCE=600V 900 160 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eon, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C 140 750 120 600 E [mJ] IC [A] 100 450 80 60 300 40 150 20 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 150 300 450 IC [A] 600 750 900 V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=450A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 120 1 Eon, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C ZthJH : IGBT 100 0,1 ZthJH [K/W] E [mJ] 80 60 40 0,01 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,005 0,036 0,039 0,0159 i[s]: 0,0013 0,0385 0,269 1,71 0 0 1 2 3 4 5 6 7 0,001 0,001 0,01 RG [] SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=0.62,Tvj=150C 1400 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 900 IC, Modul IC, Chip 1300 0,1 t [s] Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 1200 750 1100 1000 600 900 IF [A] IC [A] 800 700 450 600 500 300 400 300 150 200 100 0 0 Datasheet 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.62,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=450A,VCE=600V 60 50 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 55 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 45 50 40 45 35 40 30 E [mJ] E [mJ] 35 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0 150 300 450 IF [A] 600 750 0 900 0 1 2 3 4 5 6 7 RG [] TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 1 100000 ZthJH : Diode Rtyp 10000 R[] ZthJH [K/W] 0,1 0,01 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0083 0,0626 0,047 0,0181 i[s]: 0,00118 0,0323 0,202 1,42 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 7 0 20 40 60 80 100 TNTC [C] 120 140 160 V3.1 2017-12-01 IFF450B12ME4P_B11 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehauseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 8 V3.1 2017-12-01 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2017-12-01 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726Munchen,Germany (c)2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfurdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ("Beschaffenheitsgarantie")dar.FurBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewahrleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschlielich,ohnehieraufbeschranktzusein,dieGewahrdafur,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensamtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfurdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfurdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benotigen,wendenSiesichbitteandasnachsteVertriebsburovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnenProduktegesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnachstenVertriebsburovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrucklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,durfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernunftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenfuhren. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ("Beschaffenheitsgarantie").Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer'scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer'sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer'sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer'stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies'productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.