1N1183 ... 1N1190, 1N3766, 1N3768, PBY301 ... PB307
1N1183 ... 1N1190, 1N3766, 1N3768,
PBY301 ... PB307
Silicon-Power-Rectifiers
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Version 2007-05-09
Dimensions - Maße [mm]
Nominal Current
Nennstrom
35 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50 ... 1000 V
Metal case
Metallgehäuse
DO-5
Weight approx.
Gewicht ca.
6 g
Standard polarity: Cathode to stud / Kathode am Gewinde
Index R: Anode to stud / Anode am Gewinde (e. g. 1N1183R)
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N1183 = PBY301 50 60
1N1184 = PBY302 100 120
1N1186 = PBY303 200 240
1N1188 = PBY304 400 480
1N1190 = PBY305 600 720
1N3766 = PBY306 800 1000
1N3768 = PBY307 1000 1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C IFAV 35 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 110 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 450/500 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 1000 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+175°C
-65...+175°C
1 Max. case temperature TC = 100°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 4
+0.5
M6
SW17
Type
36.7
10.7 14.5
13.6