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Low Frequency Power Amplifier Transistors
Low Frequency Power Amplifier Transistors ࢅຫൈࡍྯ FHT8050
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DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-23
Suitable for Driver Stage of Small Motor 小馬達驅動
Complementary to FHT8550 與FHT8550 互補
PIN ASSIGNMENT 引腳說明
PIN NUMBER 引腳序號
PIN NAME
管腳符號 SOT-23 FUNCTION
功能
B 1 BASE
E 2 EMITTER
C 3 COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位
Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO 25 Vdc
Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 40 Vdc
Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO 5.0 Vdc
Collector Current—Continuous 集電極電流-連續 IC 800 mAdc
Base Current 基極電流 IB 160 mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位
Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Pc 300 mW
Junction and St orage Temperature結溫和儲存溫度 Tj,
Tstg 150，
-55 ~150 ℃
DEVICE MARKING 打標
hFE（1）FHT8050O=7O(85~200), FHT8050Y=7Y(160~3 00) ,FHT8050G=7G（280~400）
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度為 25℃)
Characteristic 特性參數 Symbol
符號 Test Condition
測試條件 Min
最小值 Type
典型值 Max
最大值 Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流 ICBO VCB=30V，IE=0 — — 0.1 µA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流 IEBO VEB=5V, IC=0 — — 0.1 µA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=10mA 25
— — V
Collector- Base Breakdo wn Voltage
集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=100µA 40
— — V
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=100µA 5
— — V
hFE(1) VCE=1V, IC=100mA 85 — 400
DC Current Gain 直流電流增益 hFE(2) VCE=1V, IC=800mA 40 — — —
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降 VCE（sat）IC=500mA,IB=50mA — — 0.6 V
Base Emitter Voltage
基極發射極電壓 VBE VCE=1V, IC=10mA 100 0.8 1.2 V
Transition Frequency 特微頻率 fT VCE=5V,IC=10mA — 120 — MHZ
Collector Output Capacitance
輸出電容 Vob VCB=10V,IE=0,
f=1MHZ — 13 30 pF
