ZMY4.7G - Diotec Semiconductor

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W),

ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)

Surface Mount Silicon-Zener Diodes

Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage

Version 2013-04-30

ZMY...G planar ZMY... non-planar

Dimensions - Maße [mm]

ZMY3.0G ... ZMY9.1G

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 3.0...9.1 V

Glass case – Glasgehäuse MELF DO-213AB

ZMY1, ZMY10 ... ZMY200

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung 10...200 V

Plastic case – Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB

Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.

Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen

Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte

ZMY3.0G ... ZMY9.1G

Power dissipation – Verlustleistung TA = 25°C Ptot 1.0 W 1)

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

RthA < 150 K/W 1)

Thermal resistance junction to terminal

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

RthT < 70 K/W

ZMY1, ZMY10 ... ZMY200

Power dissipation – Verlustleistung TA = 50°C Ptot 1.3 W 1)

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

TA = 25°C PZSM 40 W

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+150°C

-50...+175°C

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

RthA < 45 K/W 1)

Thermal resistance junction to terminal

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss

RthT < 10 K/W

1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

2 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

3 The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.

2.5

5.0

0.5 0.5

Type

Typ

2.5

5.0

0.4 0.4

Type

Typ

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)

Maximum ratings Grenzwerte

Type

Typ

Zener voltage 2)

Zener-Spannung 2)

IZ = IZtest

Test current

Meßstrom

Dynamic resistance

Diff. Widerstand

IZtest / f = 1 kHz

Temp. Coeffic.

of Z-voltage

…der Z-Spannung

Reverse volt.

Sperrspanng.

IR = 1 μA

Z-current 1)

Z-Strom 1)

TA = 50°C

Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA]

ZMY1 3) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) –26…–16 – 1000

ZMY3.0G 2.8 3.2 100 5 (<8) –8…+1 – 313

ZMY3.3G 3.1 3.5 100 5 (<8) –8…+1 > 0.7 / 150 µA 286

ZMY3.6G 3.4 3.8 100 5 (<8) –8…+1 > 0.7 / 100 µA 263

ZMY3.9G 3.7 4.1 100 4 (<7) –7…+2 > 0.7 / 100 µA 244

ZMY4.3G 4.0 4.6 100 4 (<7) –7…+3 > 0.7 / 50 µA 217

ZMY4.7G 4.4 5.0 100 4 (<7) –7…+4 > 0.7 / 10 µA 200

ZMY5.1G 4.8 5.4 100 2 (<5) –6…+5 > 0.7 / 10 µA 185

ZMY5.6G 5.2 6.0 100 1 (<2) –3…+5 > 0.5 / 3 µA 167

ZMY6.2G 5.8 6.6 100 1 (<2) –1…+6 > 1.5 / 500 nA 152

ZMY6.8G 6.4 7.2 100 1 (<2) 0…+7 > 2 / 500 nA 139

ZMY7.5G 7.0 7.9 100 1 (<2) 0…+7 > 3 / 500 nA 127

ZMY8.2G 7.7 8.7 100 1 (<2) +3…+8 > 6 / 500 nA 115

ZMY9.1G 8.5 9.6 50 2 (<4) +3…+8 > 7 / 500 nA 104

ZMY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5…+9 > 5 123

ZMY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5…+10 > 5 112

ZMY12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5…+10 > 7 102

ZMY13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5…+10 > 7 92

ZMY15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5…+10 > 10 83

ZMY16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 76

ZMY18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 68

ZMY20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6…+11 > 10 61

ZMY22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6…+11 > 12 56

ZMY24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6…+11 > 12 51

ZMY27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6…+11 > 14 45

ZMY30 28 32 25 8 (<15) +6…+11 > 14 41

ZMY33 31 35 25 8 (<15) +6…+11 > 17 37

ZMY36 34 38 10 16 (<40) +6…+11 > 17 34

ZMY39 37 41 10 20 (<40) +6…+11 > 20 32

ZMY43 40 46 10 24 (<45) +7…+12 > 20 28

ZMY47 44 50 10 24 (<45) +7…+12 > 24 26

ZMY51 48 54 10 25 (<60) +7…+12 > 24 24

ZMY56 52 60 10 25 (<60) +7…+12 > 28 22

ZMY62 58 66 10 25 (<80) +8…+13 > 28 20

ZMY68 64 72 10 25 (<80) +8…+13 > 34 18

ZMY75 70 79 10 30 (<100) +8…+13 > 34 16

ZMY82 77 88 10 30 (<100) +8…+13 > 41 15

ZMY91 85 96 5 40 (<200) +9…+13 > 41 14

ZMY100 94 106 5 60 (<200) +9…+13 > 50 12

ZMY110 104 116 5 80 (<250) +9…+13 > 50 11

ZMY120 114 127 5 80 (<250) +9…+13 > 60 10

ZMY130 124 141 5 90 (<300) +9…+13 > 60 9

ZMY150 138 156 5 100 (<300) +9…+13 > 75 8

ZMY160 153 171 5 110 (<350) +9…+13 > 75 8

ZMY180 168 191 5 120 (<350) +9…+13 > 90 7

ZMY200 188 212 5 150 (<350) +9…+13 > 90 6

Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index “F” statt “Z” zu setzen

2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG

ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W)

120

100

[%]

tot

[°C]

150100

Power dissipation versus ambient temperature )

Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )

ZMY10...200

ZMY3.0G...9.1G

0 2 3 4 5 678 10

[V]

[mA]

150

100

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1 5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

I = 100 mA

I = 50 mA

Typical breakdown characteristic

Typische Abbruchspannung

– tested with pulses

– gemessen mit Impulsen

-1

-2

[A]

Forward characteristics (typical values)

Durchlasskennlinien (typische Werte)

0.4 V

0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8

T = 25°C

T = 125°C

30a-(1a-1.1v)

10 18 24

30 36 43 51

68 75 82 91 100

T = 25°C

IZmax

Typical breakdown characteristic

Typische Abbruchspannung

– tested with pulses

– gemessen mit Impulsen

[pF]

[V]

T = 25°C

f = 1.0 MHz

V = 0V

Junction capacitance vs. zener voltage (typical)

Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)

ZMY10...200

ZMY3.0G...9.1G