SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
Semiconductor Group 1 1998-11-12
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Vorläufige Daten / Preliminary Data
SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06969
3.9
4.5
7.1
7.7
2.54 mm
spacing
14.7
15.5
7.4
8.0 (3.2)
5.4
6.0
(3.2)
2.7
2.4
4.4
4.8
(R2.8)R 2.05
1.95
Cathode/
4.5
3.9
Chip position
-0.15...0.15
Collector
GEO06968
3.9
4.5
Cathode/
7.1
7.7
2.54 mm
spacing
13.1
14.7
5.5
7.5
1.95
2.05
R(3.2)
5.4
6.0
(3.2)
2.7
2.4
4.4
4.8
(R2.8)
-0.1...0.1
3.7
3.3
2.7
2.3
4.5
3.9
Chip position
Collector
SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
Semiconductor Group 2 1998-11-12
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 2500 Q62702-P5034 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), klares (SFH 2500/2505) und
schwarz eingefärbtes (SFH 2500 FA/2505 FA) Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse (SFH 2500/2500 FA gebogen,
SFH 2505/2505 FA gerade) im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung.
5 mm LED package (T 1 3/4), clear (SFH 2500/2505) and
black-colored (SFH 2500 FA/2505 FA) epoxy resin, solder
tabs (SFH 2500/2500 FA bent, SFH 2505/2505 FA straight)
lead spacing 2.54 mm (1/10’’),
cathode marking: see package outline.
SFH 2505 Q62701-P5029
SFH 2500 FA Q62702-P1795
SFH 2505 FA Q62701-P5030
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR50 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 2500/2505) und bei 880 nm
(SFH 2500 FA/2505 FA)
●Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
●Passend zu IRED SFH 451x, SFH 458x
●Für Oberflächenmontage (SMT) geeignet
●Gegurtet lieferbar
Anwendungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
●Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechselbetrieb
●Datenübertragung
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2500/2505) and of
880 nm (SFH 2500 FA/2505 FA)
●Short switching time (typ. 5 ns)
●Matches IRED SFH 451x, SFH 458x
●Suitable for surface mounting (SMT)
●Available on tape and reel
Applications
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
●Photointerrupters
●Data transmission
SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
Semiconductor Group 3 1998-11-12
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 2500
SFH 2505 SFH 2500 FA
SFH 2505 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2
S
S
100 (> 75)
–
–
70 (> 50)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
1×11×1mm×mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±15 ±15 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photons
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 870 nm
VO
VO
430 (> 360)
–
–
390 (> 320)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 870 nm
ISC
ISC
100
–
–
35
µA
µA
SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
Semiconductor Group 4 1998-11-12
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf55 ns
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 870 nm TCI0.18
––
0.1 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 20 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 ×10– 14 2.9 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 ×1012 3.5 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 2500
SFH 2505 SFH 2500 FA
SFH 2505 FA
SFH 2500/FA
SFH 2505/FA
Semiconductor Group 5 1998-11-12
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
SFH 2500/2505
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit-voltage VO=f (Ee)
SFH 2500 FA/2505 FA
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
SFH 2500 FA/2505 FA
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
SFH 2500/2505
Dark current
IR = f (VR), E = 0
λ
OHF01034
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF00302
e
-3
10
10
0
10
1
2
mW/cm
10
-1
10
-2
10
-1
10
1
mV
O
V
10
4
3
10
10
2
0
10
10
1
P
Ι
V
O
P
Ι
3
10
2
10
A
µ
λ
OHF01773
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
OHF00392
0
tot
P
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mW
˚C
T
A
E
OHF00301
v
P
Ι
10
0
10
1
lx
10
-1
0
10 10
1
10
23
10
3
10
2
10
1
10
10
0
2
10
10
3
4
10
V
O
mV
10
4
Ι
P
O
V
A
µ
V
OHF01026
R
R
Ι
0
4
10
3
10
2
10
10
1
pA
20 V 3010
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF00303
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
