Transistor NPN si Planar NPN silicon transistor Planar licium 2N 1990 R - Commutation faible courant Low current switching - Commande des tubes nixies Nixie driver Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation *K Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Vego 100 V hoy (2 mA) 25 min. Prot {w) ! . Boitier TO-18 0.6 -} Case \ ' 0,4 (2) eC ye +4 1 oo CNN - i 0 1 tamb(C)(1) Le collecteur est reli au boitier 0 50 100 150 tease(CH(2) Collector is connected ta case Valeurs fimites absolues dutilisation 4 tamh=25C : Absolute ratings {limiting values} ( Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified) Parambtre Parameter: Tension collecteur-base Vv Collector-base voltage CBO 100 v Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 3 Vv tanp= 25C") Dissipation de puissance amb P. 0,25 | Ww Power dissipation t = 250C(2) tot case 0,8 Temprature de jonction max t 150 oc Junction temperature J Temprature de stockage min. tot 65 c Storage temperature max. 4 +150 1970.07. 1/2 et. Ses@msem 2N 1990 R Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics ( Sauf indications contraires) {Unless otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics Courant rsiduel collecteur-metteur Ip =-25 uA les Collector-emitter cut-off current & =75 vy CEX BA ce? 25 tampz 180C . ic =0 Tension de claquage co!lecteur-base E Vv Collector-base breakdown voltage le =1mA (BR)CBO} 100 Vv . In =0 Tension de claquage metteur-base c Vv Emitter-base breakdown voltage Ie =1mA (BR)EBO| 3 Vv In =2mA i Ving=0.5 V Moe 26 Valeur statique du rapport du transfert ce direct du courant Static forward current transfer ratio lo =30 mA * Vopz10V hore 20 Tension de saturation collecteur-mett Ic =2 mA v v ension de saturation collecteur-metteur | Collector-emitter saturation voltage ip =0,2mA CEsat 0.8 Tension de saturation base-metteur Iq =2mA VeEsat 1 Vv Base-emitter saturation voltage Ig =0,2mA sa * Impulsions t_=300us & < 2% Pulsed 2/2