Bridge Diode
（J534-1）
18
単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespecified）
項 目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波，抵抗負荷，プリント基板実装，
Ta = 25℃
50Hz sine wave, Resistance load, On glass-epoxy substrate,
Ta=25℃
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定，１素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF = 0.5A,
VR = VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合Tl= 25℃／unlessotherwisespecified）
MAX1.05
MAX10
MAX15
MAX68
−40〜150
150
1
30
4.5
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃，
I2t
S1NB60
600
（VRSM＝700）
S1NB80
800
１素子当たりの規格値
per diode
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
S1NB□
800V 1A
• 小型 DIP パッケージ
• Small-DIP
■定格表 RATINGS
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor
Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specication “Marking,
Terminal Connection”.
Unit : mm
Weight : 0.29g（typ.）
Package：1N（SMD）
Unit : mm
Weight : 0.29g（typ.）
Package：1 N
（THD）
■外観図 OUTLINE
2.6
6.8
S1NB
6094
③②
④④− ①＋
③〜 ②〜
①
10
ロット記号（例）
Datecode
品名略号
TypeNo.
級表示（例）
Class
6.8
④④− ①＋
③〜 ②〜
③ ②
①
S1NB
6099
6.5
ロット記号（例）
品名略号
TypeNo.
級表示（例）
Class
Datecode
2.5
4.4
Feature
特 長
＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。
＊50Hz sine wave is used for measurements.
＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
Typical は統計的な実力を表しています。
＊Semiconductor products generally have characterristic variation.
Typical is a statistical average of the device’s ability.
（J534-1）19
S1NB□
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Small DIP Bridge
