2007-04-02 1
200 7- 04- 0 2
Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor
Version 1.0
SFH 309, SFH 309 FA
SFH 309 FASFH 309
Features: Besondere Merkmale:
Spectral range of sensitivity: 380 nm ... 1180
nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm (SFH 309 FA)
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
380 nm ... 1180 nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm
(SFH 309 FA)
Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy Gehäuse: 3mm Radial (T 1), Harz
Special: High photosensitivity Besonderheit: Hohe Fotoempfindlichkeit
High linearity Hohe Linearität
Available in groups Gruppiert lieferbar
Applications Anwendungen
Photointerrupters Lichtschranken
Industrial electronics Industrieelektronik
For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln
2007-04-02 2
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
Ordering Information
Bestellinformation
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
IPCE [µA]
SFH 309 400 ... 5000 Q62702P0859
SFH 309-3/4 630 ... 2000 Q62702P3592
SFH 309-4 1000 ... 2000 Q62702P0998
SFH 309-4/5 1000 ... 3200 Q62702P3593
SFH 309-5 1600 ... 3200 Q62702P0999
SFH 309-5/6 1600 ... 5000 Q62702P3594
SFH 309 FA 400 ... 5000 Q62702P0941
SFH 309 FA-3/4 630 ... 2000 Q62702P3590
SFH 309 FA-4 1000 ... 2000 Q62702P0178
SFH 309 FA-4/5 1000 ... 3200 Q62702P3591
SFH 309 FA-5 1600 ... 3200 Q62702P0180
SFH 309 FA-5/6 1600 ... 5000 Q62702P5199
Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1)
Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
SFH 309 SFH 309 FA
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 100 °C
Collector-emitter voltage
Kollektor-Emitter-Spannung
VCE 35 V
Collector current
Kollektorstrom
IC15 mA
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
2007-04-02 3
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Collector surge current
Kollektorspitzenstrom
(τ < 10 µs)
ICS 75 mA
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 165 mW
Thermal resistance
Wärmewiderstand
RthJA 450 K / W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
SFH
309
SFH
309 FA
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 860 900 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 380 ...
1150
730 ...
1120
nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
( 220 μm)
A 0.038 mm2
Dimensions of chip area
Abmessung der Chipfläche
L x W 0.45 x 0.45 mm x
mm
Distance chip front to case surface
Abstand Chipoberfläche zu Geuseoberfläche
H2.4 ... 2.8mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 12 °
Capacitance
Kapazität
(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
CCE 5pF
Dark current
Dunkelstrom
(VCE = 20 V, E = 0)
ICE0 1 ( 50) nA
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
SFH 309 SFH 309 FA
2007-04-02 4
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
Grouping (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Gruppierung
Group Min Photocurrent Max
Photocurrent
Typ Photocurrent Rise and fall time
Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und
Abfallzeit
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
Ee = 0.5 mW/cm2,
VCE = 5 V
SFH 309:
EV = 1000 lx, Std.
Light A, VCE = 5 V
IC = 1 mA,
VCC = 5 V,
RL = 1 k
IPCE, min [µA] IPCE, max [µA] IPCE [µA] tr, tf [µs]
-2 400 800 1500 5
-3 630 1250 2800 6
-4 1000 2000 4500 7
-5 1600 3200 7200 8
-6 2500 5000 11200 9
Group Collector-emitter saturation voltage
Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
IC = IPCEmin x 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat [mV]
-2 200
-3 200
-4 200
-5 200
-6 200
Note.: IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
Anm.: IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
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Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 309 Srel = f(λ)
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 309 FA Srel = f(λ)
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(Ee), VCE = 5 V
Photocurrent
Fotostrom
IPCE = f(VCE), Ee = Parameter
λ
OHF01121
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
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Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
Photocurrent
Fotostrom
IPCE / IPCE(25°C)= f(TA), VCE = 5 V
Dark Current
Dunkelstrom
ICEO = f(VCE), E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
ICE0 = f(TA), VCE = 20 V, E = 0
Collector-Emitter Capacitance
Kollektor-Emitter Kapazität
CCE = f(VCE), f = 1 MHz, E = 0
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
025 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
V
OHF01527
CE
CEO
Ι
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0 5 10 15 20 25 30 35V
nA
T
OHF01530
A
CEO
Ι
-1
10
10
0
10
1
10
2
10
3
-25
nA
025 50 75 100
˚C
V
OHF01528
CE
-2
10
CE
C
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
V
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
5.0
pF
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
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Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
2007-04-02 8
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
4.0 (0.157)
3.6 (0.142)
ø3.1 (0.122)
ø2.9 (0.114)
4.1 (0.161)
3.9 (0.154)
5.2 (0.205)
4.5 (0.177)
3.5 (0.138)
6.3 (0.248)
5.9 (0.232)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047)
29 (1.142)
27 (1.063)
2.54 (0.100)
spacing
0.7 (0.028)
0.4 (0.016)
Chip position
Collector (Transistor)
Area not flat
GEOY6653
0.4 (0.016)
0.8 (0.031)
Cathode (Diode)
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
2007-04-02 9
TTW Soldering
Wellenlöten (TTW)
IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW
OHLY0598
0
0
50 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
2007-04-02 10
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
Disclaimer Disclaimer
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shall not be considered as assured characteristics.
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Packing
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sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
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sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
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Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
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annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
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Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 SFH 309, SFH 309 FA
2007-04-02 11
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