Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use as high–frequency drivers in audio amplifiers.
•DC Current Gain Specified to 4.0 Amperes
hFE = 40 (Min) @ IC = 3.0 Adc
= 20 (Min) @ IC = 4.0 Adc
•Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) — MJE15028, MJE15029
= 150 Vdc (Min) — MJE15030, MJE15031
•High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 30 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
•TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJE15028
MJE15029
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJE15030
MJE15031
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
120
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
8.0
16
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
50
0.40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
0
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
0
40 60 100 120 160
40
TC
20
60
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
0
2.0
TA
1.0
3.0
80 140
TC
TA
20
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 3 1Publication Order Number:
MJE15028/D
MJE15028
MJE15030
MJE15029
MJE15031
*ON Semiconductor Preferred Device
8 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
120–150 VOLTS
50 WATTS
*
NPN
PNP
*
*
*
CASE 221A–09
TO–220AB
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
123
4
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0) MJE15028, MJE15029
MJE15030, MJE15031
ÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
120
150
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 120 Vdc, IB = 0) MJE15028, MJE15029
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) MJE15030, MJE15031
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 120 Vdc, IE = 0) MJE15028, MJE15029
(VCB = 150 Vdc, IE = 0) MJE15030, MJE15031
ÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
10
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 0.1 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
40
40
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain Linearity
(VCE From 2.0 V to 20 V, IC From 0.1 A to 3 A)
(NPN TO PNP)
ÎÎÎ
hFE
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Typ
2
3
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
VBE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 10 MHz)
ÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
30
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
(2) fT = hfe• ftest.
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
3
t, TIME (ms)
0.01
0.01 0.05 1.0 2.0 5.0 10 20 50 500 1.0 k0.1 0.50.2
1.0
0.2
0.1
0.05
r(t), TRANSIENT THERMAL
ZθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 1.56°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.2
SINGLE PULSE
RESISTANCE (NORMALIZED)
Figure 2. Thermal Response
0.5 D = 0.5
0.05
0.3
0.7
0.07
0.03
0.02
0.02 100 200
0.1
0.02
0.01
20
2.0
Figure 3. Forward Bias Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
16
10
0.02
20 120
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
SECOND BREAKDOWN
LIMITED @ TC = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
dc
100 µs
5.0 10 150
1.0
50
0.1
5ms
MJE15028
MJE15029
MJE15030
MJE15031
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation then the curves indicate.
The data of Figures 3 and 4 is based on TJ(pk) = 150C;
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 2. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
4
8.0
0
Figure 4. Reverse–Bias Switching
Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
0120 140
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5 V
VBE(off) = 9 V
100 110 150
3.0
130
2.0
1.0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10 150
500
1000
50
Figure 5. Capacitances
200
10030107.05.01.5
C, CAPACITANCE (pF)
3.0
20
50
Figure 6. Small–Signal Current Gain
f, FREQUENCY (MHz)
1.0 3.0 10
20
100
hfe, SMALL SIGNAL CURRENT GAIN
2.0 7.0
5.0
0.5 5.0
50
30
10
0.7
NPN
Figure 7. Current Gain–Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.5 2.0
60
100
fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT (MHz)
1.0 10
20
0.1 5.0
90
50
0.2
IC/IB = 10
TC = 25°C
3 V
1.5 V
PNP
(NPN)
(PNP)
VCE = 10 V
IC = 0.5 A
TC = 25°C
Cib (NPN)
Cob (PNP)
100
30
0
10
0 V
Cib (PNP)
Cob (NPN)
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
hFE, DC CURRENT GAIN
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. “On” Voltage
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
1K
100.1
150
100
70
30
0.2
10
1.0 5.02.00.5
TJ = 25°C
TJ = 150°C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
1.0
0.6
0.2
TJ = 25°C
V, VOLTAGE (VOLTS)
NPN — MJE15028 MJE15030 PNP — MJE15029 MJE15031
500
1K
200
100
50
20
10
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 2.0 V
V, VOLTAGE (VOLTS)
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) = IC/IB = 20
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
1.8
1.4
1.0
0.8
0.4
0
IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCC = 80 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
td (NPN, PNP)
tr (PNP)
Figure 10. Turn–On Times
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
Figure 11. Turn–Off Times
0.2
0.1
VCC = 80 V
IC/IB = 10, IB1 = IB2
ts (NPN) TJ = 25°C
0.1
1.0
0.5
0.2
0.03
0.01
0.1
0.05
0.02
t, TIME (s)µ
t, TIME (s)µ
NPN PNP
100.1 0.2 1.0 5.02.00.5
100.2 1.0 5.02.00.5 100.1 0.2 1.0 5.02.00.5
100.2 1.0 5.02.00.5 100.1 0.2 0.3 5.02.00.5
50
20
500
TJ = 150°C
TJ = -55°C
VCE = 2 V
TJ = -55°C
TJ = 25°C
tr (NPN)
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 2.0 V
VCE(sat) = IC/IB = 20
IC/IB = 10
tf (NPN)
tf (PNP)
ts (PNP)
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
ISSUE AA
TO–220AB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
7
Notes
MJE15028 MJE15030 MJE15029 MJE15031
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
MJE15028/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada