PN2222A / 2N2222A
PN2222A / 2N2222A
NPN General purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz NPN
Version 2005-11-17
Dimensions / Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
PN2222A / 2N2222A
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung E open VCB0 75 V
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCE0 40 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEB0 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc) IC600 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom (tp < 5 ms) ICM 800 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-65...+150°C
-65…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 60 V ICB0 – – 10 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
IC = 150 mA, IB = 15 mA 2)
IC = 500 mA, IB = 50 mA 2)
VCEsat
VCEsat
–
–
–
–
0.3 V
1 V
Base saturation-voltage – Basis-Sättigungsspannung
IC = 150 mA, IB = 15 mA 2)
IC = 500 mA, IB = 50 mA 2)
VBEsat
VBEsat
0.6 V
–
–
–
1.2 V
2 V
1 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
EBC
PN2222A / 2N2222A
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
IC = 0.1 mA, VCE = 10 V
IC = 1 mA, VCE = 10 V
IC = 10 mA, VCE = 10 V
IC = 150 mA, VCE = 10 V 1)
IC = 500 mA, VCE = 10 V 1)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
35
50
75
100
40
–
–
–
–
–
–
–
–
300
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
IC = 20 mA, VCE = 20 V, f = 100 MHz fT250 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCB0 ––8 pF
Emitter-Base Capaciance – Emitter-Basis-Kapazität
VEB = 0.5 V, IC =ic = 0, f = 1 MHz CEB0 – – 30 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 2)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren PN2907A / 2N2907A
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
