© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
November, 2005 − Rev. 14 1Publication Order Number:
BD237/D
BD237 (NPN), BD234 (PNP),
BD238 (PNP)
Preferred Devices
Plastic Medium Power
Bipolar Transistors
Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers
utilizing complementary or quasi complementary circuits.
Features
•DC Current Gain −
hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
•Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in
•ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V
Machine Model, C; >400 V
•Pb−Free Packages are Available*
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD234
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD237
BD238
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ TC = 25_C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
25
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
_C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction−to−Case
ÎÎÎ
ÎÎÎ
RqJC
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
Device Package Shipping
ORDERING INFORMATION
BD237 TO−225 500 Units / Box
MARKING DIAGRAM
BD23x = Device Code
x = 4, 7 or 8
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
BD238 TO−225 500 Units / Box
http://onsemi.com
2.0 AMPERES
POWER TRANSISTORS
25 WATTS
TO−225
CASE 77
STYLE 1
321
BD237G TO−225
(Pb−Free) 500 Units / Box
BD238G TO−225
(Pb−Free) 500 Units / Box
YWW
BD23xG
BD234 TO−225 500 Units / Box
BD234G TO−225
(Pb−Free) 500 Units / Box
BD237 (NPN), BD234 (PNP), BD238 (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Type
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)
(IC = 0.1 Adc, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V(BR)CEO
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
BD237, BD238
BD234
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
80
45
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 100 Vdc, IE = 0)
(VCB = 60 Vdc, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
BD237, BD238
BD234
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 0.15 A, VCE = 2.0 V)
(IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE1
hFE2
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
40
25
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 1)
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
0.6
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage (Note 1)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
1.3
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current−Gain − Bandwidth Product
(IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
1. Pulse Test: Pulse Width x 300 ms, Duty Cycle x 2.0%.
Figure 1. Active Region Safe Operating Area
10
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
3
1
0.1
3 10 30 100
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°Cdc
5 ms
1
100 ms
1 ms
BD237
BD236
The Safe Operating Area Curves indicate IC−VCE limits
below which the device will not enter secondary breakdown.
Collector load lines for specific circuits must fall within the
applicable Safe Area to avoid causing a catastrophic failure.
To insure operation below the maximum TJ,
power−temperature derating must be observed for both
steady state and pulse power conditions.
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
00.2
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0 2.0 10 30 50 200
IC = 0.1 A 0.25 A 1.0 A0.5 A
0.3 0.5 100203.0 5.0
TJ = 25°C
BD237 (NPN), BD234 (PNP), BD238 (PNP)
http://onsemi.com
3
1000
Figure 3. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
100 TJ = + 150°C
TJ = − 55°C
VCE = 2.0 V
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
700
500
300
200
70
50
30
20
TJ = + 25°C
3.0 5.0 10 20 30 50 20002.0 100 200 1000300 500
Figure 4. “On” Voltages
0
1.5
3.0 5.0 10 20 30 50 20002.0 100 200 1000300 500
1.2
0.9
0.6
0.3
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VOLTAGE (VOLTS)
VBE @ VCE = 2.0 V
Figure 5. Thermal Response
t, TIME or PULSE WIDTH (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 1000500
qJC(t) = r(t) qJC
qJC = 4.16°C/W MAX
qJC = 3.5°C/W TYP
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) − TC = P(pk) qJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
SINGLE PULSE
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
BD237 (NPN), BD234 (PNP), BD238 (PNP)
http://onsemi.com
4
PACKAGE DIMENSIONS
TO−225
CASE 77−09
ISSUE Z
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 077−01 THRU −08 OBSOLETE, NEW STANDARD
077−09.
−B−
−A− M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.065 1.15 1.65
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 −−− 1.02 −−−
__
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its of ficers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Phone: 81−3−5773−3850
BD237/D
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA
Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your
local Sales Representative.