eofe e N silicon signal diodes THOMSON-CSF diodes de signal au silicium Type Vr-VRu lo Ve / tg In / VR IR / Vr City, / Ig Case Tamb150C max max | max max max max] max (v) (mA)] (V) (mA). [| (nA) (Vv) A) (Vv) (pF)]| ins) = (mA) high speed switching Tamb = 25C commutation rapide 1N 482 - 80- 250 30} 30 30 1N 662 1000 10 20 (1) 10 3 1N 662A 1000 10 20 (1) 10 3 1N 914 25 20 50 20 4 iN914A 25 20 50 20 4 1N914B 25 20 50 20 4 1N 916 25 20 50 20 2 INSIBA 25 20 50 20 2 1N 930 100 50 1N 916 B 25 20 50 20 2 S 1N 3062 100 50 100 50 1 10 1N 3063 100 50] 100 50 | 2 DS L/L bo7* 1N 3064 100 50 100 50 2 3 (CB-26) 1N 3604 50 50 50 50 2 : 1N 3605 50 50 50 30 2 1N 3606 50 50 50 50 2 1N 4009 100 25 100 25 4 BAY 38 50 50 50 50 2 BAY 43 50. 40 30 40 5 BAY 63 100 50 100 50 4 BAY 71 100 35 2 AAIN 4148 25 9-20 50 20 4 AAIN 4149 25 20 50 20 2 AAIN 4151 50 50 50 50 2 4 1N 4152 50 30 50 30 2 4. 1N 4153 50 50 50 50 2 4 1N 4154 100 25] 100 2 |4 | 4 1N 4305 100 50 100 50 2 foo de 1N 4444 50 50 50 50 2] 7 AAIN 4446 25 8 8=.20 50 20 44} 45 AAIN 4447 25 = 20 50 20 2] 4. 1N 3731 50 50 50 5 12] 3. AAIN 4448 25 20 50 20 4 oh AaAIN 4449 100 20 50 20 2 pode 1N 4454 100 50 100 50 2 2 34P 4 30.10 4 | 10 35P4 10 20 2 36 P 4 60 50 2 / CB-127 37 P4 10 20 2 BAV 54-30 200 20 4 BAV 54-70 200 40 4 BAV 54-100 200 60 4 BAW 75 100 25 100 25 4 BAW 76 100 50 100 50 2 BAX 13 200 50 25 50 3 BAX 84 10 20 2 BAY 67 100 35 50 35 1,5 BAY 68 100 25 100 30 5 SFD 43 200 10 4 1N 4531 (2) 25 20 50 20 4 ESM 523 : 25 20 10 (1) 20 4 (1): Tamb = 100C , Devices under CCO/CCT * Available on request in CB-127 case. F~ 8-165 Dispositifs soumis au CCO/CCT Designation : 1N...DHD or BA...DHD. Microdiode _ DO 34 case (CB-104) Devices under CCQ/CECC * Livrable sur demande en boitier CB-127. Scale : 3/1 (2): Boitier DO 34 (CB-104) * Dispositifs soumis au CCO/CECC Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. Echelle : 3/1 79