SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA fexf6626 fex06626 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 213) und bei 880 nm (SFH 213 FA) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause Auch gegurtet lieferbar Features Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 213) and of 880 nm (SFH 213 FA) Short switching time (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package Also available on tape Anwendungen Applications Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems LWL Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 213 Q62702-P930 SFH 213 FA Q62702-P1671 Semiconductor Group 1 03.96 SFH 213 SFH 213 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 55 ... + 100 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) TS 300 C Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 213 SFH 213 FA S 135 ( 100) - nA/Ix S - 90 ( 65) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 400 ...1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 5.1 ... 5.7 5.1 ... 5.7 mm Semiconductor Group 2 Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 LxW SFH 213 SFH 213 FA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 213 SFH 213 FA Einheit Unit Halbwinkel Half angle 10 10 Grad deg. Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 5) 1 ( 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon VO 430 ( 350) - mV VO - 380 ( 300) mV ISC 125 - A ISC - 42 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 870 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm NEP 2.9 x 10- 14 2.9 x 10- 14 W Hz Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit D* 3.5 x 1012 cm * Hz W Semiconductor Group 3 Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 870 nm Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 870 nm %/K 0.18 - - 0.2 3.5 x 1012 SFH 213 SFH 213 FA Relative spectral sensitivity SFH 213 Srel = f () Relative spectral sensitivity SFH 213 FA Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 213 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) SFH 213 FA Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current IR = f (VR), E = 0 Directional characteristics Srel = f () Semiconductor Group 4