NPN SILICON TRANSISTOR, PLANAR *BF 457 TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR * BF 4 58 *BF 459 ok Preferred device Oispositif recommand BF 457, BF 458 and BF 459 are plastic encapsulated transistor designed for video output stages in black and white and color TV receivers. These transistors feature Prot 10 W low thermal resistance and exceptional ability to with- stand picture tube arcing. Les transistors sous encapsulation plastique BF 457, BF 468 et BF 459 sont destinds aux tages de sortie des amplificateurs ViBRICEO 160..... 300 V vido dans les tlviseurs noir-blanc et couleur, tis se caract- c 3pF risant par une taible rsistance thermique et une rsistance 12e P exceptionnelle aux amorgages dans las tubes-images. fy 60 MHz Maximum power dissipation Plastic case TO-126 See outline drawing CB-16 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier plastique Voir dessin cot CB-16 dernires pages Prot ww) 8 6 4 EY! 2 Collector connected to metal Tamb Weight : 0,7 g. part of case 0 25 50 76 100 126 + (og) Masse Colfecteur runi & ia partie mtal- case lique du bottier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) = +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION Tamb (Saut indications contraires) BF 457 BF 458 BF 459 Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 160 250 300 Vv Coilector-base volta: Tension collecrsurbae Vcso 160 250 300 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 5 5 5 v Collector current t 100 mA Courant collecteur c 100 100 Power dissipation Tamb= 25C Prot 1,2 1,2 1,2 w Dissipation de puissance Tease = 45C 0} 10 10 10 w Storage temperature T 150 150 150 c Temprature de stockage stg Junction temperature T: Temprature de janction j 150 150 150 c 76-03 1/5 THOMSON-CSF 609 BF 457, BF 458, BF 459 STATIC CHARACTERISTICS T. = 25C (Unless otherwise Stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vop= 160 BF 457 100 BA Ig =0 Vop= 260V BF 458 100 uA I =0 Vep= 300 BF 459 100 uA . le =0 Collector-base cut-off current \ Courant rsiduel collecteur-bese cBO Yop 100Vv BF 457 50 nA I; =0 Vep= 200v BF 459 50 nA le =0 Vep= 260V BF 459 50 nA Ip =0 Emitter-base cut-off current Vep= 3V leno 50 nA Courant rsiduel metteur-bese le =0 1 10 mA BF 457 160 v Collector-emitter breakdown voltage c = 10m Vipriceo | BF 458 | 250 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ig =O : BF 459 300 Vv Emitter-base breakdown voltage Tension de clequage metteur-base le = 100A Vipr)EBO 5 v Static forward current transfer ratio Vace 10V Valeur stetique du rapport oe transfert CE> hore 25 V direct du courant le = 30mA Collector-emitter saturation voltage Il. =30mA Tension de saturation collecteur-6metteur ie -6mA VeEsat 1 Vv 2/5 610 BF 457, BF 458, BF 459 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Ta mb = 28C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Output sta Vege= 30V utput capacitance = Capacit de sortie Ig =0 C22 45 pF f =1MHz Vv, =30V Reverse transfer capacitance \ cEO 0 c 3 F Capscit de transfer inverse Cc 7 12e Pp f =1MHz set Vege= 10V Transition frequency cE Frquence de transition Ig =15mA fy 60 MHz f = 50MHz . In =60mA High frequency knee voltage (1) c Tension de coude 4 haute frquence q = 100C VoEKIH F) 30 v f = 10MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance : Rsistance thermique (jonction-ambiante) Renij-a) 104 C/W Junction-case thermal resistance R Rsistance thermique (jonction-bol tier) thij-c) 10 c/w (1) The high frequency knee voltage of a transistor is that value of the collector emitter voltage at which the small signal forward current transfer ratio Hote has dropped to 80 % of the value at Vce = 50 V. La tension de coude & haute frquence dun transistor est, par dfinition, fa valeur de {a tension collecteur metteur pour laquelle le rapport de transfert direct du courant & petit signal hoy ost tomb & 80 % de sa valeur & 50 V. hoe 4 (%) 100 : 80 | ! | | | 0 ! ~_ 35 611 BF 457, BF 458, BF 459 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES (mA) 30 20 0 50 100 8 150 Vg (V) t, Co) (mA) 60 40 20 20 30 40 Voge (V) 416 612 BF 457, BF 458, BF 459 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smalt signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux}) (126 (pF) 10! 6a Veg V) (MHz) 60 f =100 MHz Sa, ) Yy Lt at | NX 10 4 68 10! BS Ig (ma) 225 (pF) 12 10 4-68 0 1 10 10 Veg ) ! c ima) | f =100 MHz wy 6 & 2 4 68 2 4 68 1 10 10 Vog!v) 6/6 613