SWITCHMODE NPN Silicon
Planar Power Transistor
The BUH150 has an application specific state–of–art die designed
for use in 150 Watts Halogen electronic transformers.
This power transistor is specifically designed to sustain the large
inrush current during either the start–up conditions or under a short
circuit across the load.
This High voltage/High speed product exhibits the following main
features:
•Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:
High and Flat DC Current Gain hFE
Fast Switching
•Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture
this Device
•ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproducible Parametric Distributions
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Value
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
400
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
700
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
700
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
IC
ICM
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
15
25
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
Base Current — Peak (1)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
IB
IBM
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
6
12
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*Total Device Dissipation @ TC = 25C
*Derate above 25°C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
150
1.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watt
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Temperature
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–65 to 150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance
— Junction to Case
— Junction to Ambient
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
RθJC
RθJA
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
0.85
62.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from case for 5 seconds
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
260
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle ≤ 10%.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 3 1Publication Order Number:
BUH150/D
BUH150
POWER TRANSISTOR
15 AMPERES
700 VOLTS
150 WATTS
CASE 221A–09
TO–220AB
123
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
BUH150
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Typ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
400
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
460
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Breakdown Voltage
(ICBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
700
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
860
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IEBO = 1 mA)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VEBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
12.3
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCES, VEB = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
1000
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Base Current
(VCB = Rated VCBO, VEB = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
1000
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.25
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.16
0.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.4
0.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(IC = 10 Adc, IB = 2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.45
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(IC = 20 Adc, IB = 4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 20 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
4
2.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
7
4.5
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
8
6
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
12
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 2 Adc, VCE = 1 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
12
14
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
22
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 100 mAdc, VCE = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Dynamic Saturation
Vlt
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 1 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(dsat)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Voltage:
Determined 3 µs after
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC
5
Adc
,
IB1
1
Adc
VCC = 300 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
()
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Determined
3
µs
after
rising IB1 reaches
90% of final IB1
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.4
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
90%
o
f
fi
na
l
I
B1
(see Figure 19)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC
10
Adc
,
IB1
2
Adc
VCC = 300 V
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain Bandwidth
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
23
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc, f = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Cib
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1300
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1750
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
pF
BUH150
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Typ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C. ≤ 10%, Pulse Width = 40 µs)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ton
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
200
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 2 Adc, IB1 = 0.2 Adc
IB2 =02Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 0.2 Adc
VCC = 300 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
240
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
300
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
toff
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ton
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 2 Adc, IB1 = 0.4 Adc
IB2 =04Adc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.1
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
7.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 0.4 Adc
VCC = 300 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
320
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
VCC
300
Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
toff
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
6.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc
IB2 =05Adc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ton
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
450
800
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
650
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 0.5 Adc
VCC = 300 Vdc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
toff
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.5
3.9
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–on Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 10 Adc, IB1 = 2 Adc
IB2 = 2 Adc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ton
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
500
900
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
700
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Turn–off Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2 = 2 Adc
VCC = 300 Vdc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
toff
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.25
2.75
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.75
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µs
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 µH)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tfi
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
110
160
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 2 Adc
IB1 = 0.2 Adc
I
B2
=
0
.2 A
dc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tsi
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
6.5
8
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2
=
0
.
2
Adc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tc
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
235
240
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tfi
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
110
170
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 2 Adc
IB1 = 0.4 Adc
I
B2
=
0
.4 A
dc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tsi
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
6
7.8
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
7.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2
=
0
.
4
Adc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tc
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
250
270
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tfi
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
110
140
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 5 Adc
IB1 = 0.5 Adc
I
B2
=
0
.
5
A
dc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tsi
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.25
4.6
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.75
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2
=
0
.
5
Adc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tc
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
275
450
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tfi
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
110
160
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
175
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IC = 10 Adc
IB1 = 2 Adc
I
B2
= 2 A
dc
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
tsi
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.3
2.8
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.75
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Crossover Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB2
=
2
Adc
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
tc
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
250
475
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
350
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
BUH150
http://onsemi.com
4
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
100
10
1
1010.10.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
VCE = 1 V
Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volt
100
10
1
1010.10.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
VCE = 3 V
0.01 0.01
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volt
100
10
1
10010.10.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
VCE = 5 V
10
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10010.10.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
IC/IB = 5
VCE, VOLTAGE (VOLTS)
0.1
Figure 5. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
1010.10.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
VCE, VOLTAGE (VOLTS)
0.1
0.01
Figure 6. Base–Emitter Saturation Region
1.5
1
0
10010.010.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
IC/IB = 5
0.5
0.1
0.01 10
IC/IB = 10
10
100 100
100
BUH150
http://onsemi.com
5
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 7. Base–Emitter Saturation Region
1.5
0.5
0
10010.10.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VBE, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = -20°C
1
0.01
IC/IB = 10
Figure 8. Collector Saturation Region
2
1
0
10010.10.01
IB, BASE CURRENT (A)
VCE(sat)
(IC = 1 A)
VCE, VOLTAGE (VOLTS)
TJ = 25°C
8 A
5 A
1.5
0.5
20 A
15 A
Figure 9. Capacitance
10000
10
100101
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C, CAPACITANCE (pF)
100
Cib (pF)
TJ = 25°C
f(test) = 1 MHz
1000
Figure 10. Resistive Breakdown
900
700
400
100010010
RBE (Ω)
BVCER (VOLTS)
TJ = 25°C
BVCER @ 10 mA
800
600
500
BVCER(sus) @ 200 mA
10 10
10 A
Cob (pF)
BUH150
http://onsemi.com
6
t, TIME (s)µ
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Figure 11. Resistive Switching, ton
2000
1000
0
1530
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
6
t, TIME (ns)
1400
800
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 40 µs
Figure 12. Resistive Switch Time, toff
12
6
0
15100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 13. Inductive Storage Time, tsi
8
0
1551
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
6
3
8
4
2
7
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
1800
IC/IB = 5
Figure 14. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 5
550
50
1571
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t, TIME (ns)
150
5
TJ = 125°C
TJ = 25°C
tc
tfi
350
912
IC/IB = 10
IC/IB = 5
125°C
25°C
5
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IB1 = IB2
VCC = 300 V
PW = 20 µs
IC/IB = 10
IC/IB = 5
t, TIME (s)µ
Figure 13 Bis. Inductive Storage Time, tsi
8
0
1041
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
7
4
7
TJ = 125°C
TJ = 25°C
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
t, TIME (s)µ
6
5
3
IC/IB = 10
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
Figure 15. Inductive Storage Time,
tc & tfi @ IC/IB = 10
800
0
1080
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
t, TIME (ns)
200
4
TC = 125°C
TC = 25°C
tc
tfi
400
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
600
1600
1200
600
400
200
10
7
4
5
1
2
391113
2
1
450
250
391113
700
500
300
100
26
125°C
25°C
BUH150
http://onsemi.com
7
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
5
0
1042
hFE, FORCED GAIN
8
4
6
TJ = 125°C
TJ = 25°C
Figure 16. Inductive Storage Time
3
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
Figure 17. Inductive Fall Time
200
0
103
hFE, FORCED GAIN
150
tfi, FALL TIME (ns)
100
50
467
TJ = 125°C
TJ = 25°C
, STORAGE TIME (tsi µs)
IC = 5 A
IC = 10 A
589
IBoff = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
Figure 18. Inductive Crossover Time
800
300
100
hFE, FORCED GAIN
600
tc, CROSSOVER TIME (ns)
700
400
500
200
1034 6 7589
IB1 = IB2
VCC = 15 V
VZ = 300 V
LC = 200 µH
TJ = 125°C
TJ = 25°C
1
IC = 5 A
IC = 5 A
2
IC = 10 A
IC = 10 A
BUH150
http://onsemi.com
8
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
Table 1. Inductive Load Switching Drive Circuit
V(BR)CEO(sus)
L = 10 mH
RB2 = ∞
VCC = 20 Volts
IC(pk) = 100 mA
Inductive Switching
L = 200 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
RBSOA
L = 500 µH
RB2 = 0
VCC = 15 Volts
RB1 selected for
desired IB1
Figure 19. Dynamic Saturation Voltage
Measurements
TIME
VCE
0 V
IB
90% IB
1 µs
dyn 1 µs
dyn 3 µs
Figure 20. Inductive Switching Measurements
10
4
0
820
TIME
6
8
6
2
4
9
7
5
3
1
13 57
IB
IC
Vclamp
tsi
tc
tfi
90% IC
10% IC
90% IB1
10% Vclamp
+15 V
1 µF150 Ω
3 W
100 Ω
3 W
MPF930
+10 V
50 Ω
COMMON
-Voff
500 µF
MPF930
MTP8P10
MUR105
MJE210
MTP12N10
MTP8P10
150 Ω
3 W
100 µF
Iout
A
RB1
RB2
1 µF
IC PEAK
VCE PEAK
VCE
IB
IB1
IB2
3 µs
BUH150
http://onsemi.com
9
TYPICAL THERMAL RESPONSE
Figure 21. Forward Bias Power Derating
1
0
16010020
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0.8
POWER DERATING FACTOR
0.6
0.4
0.2
60 140
SECOND BREAKDOWN
DERATING
40 80 120
THERMAL DERATING
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC–VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate. The data of Figure 22 is
based on TC = 25°C; TJ(pk) is variable depending on power
level. Second breakdown pulse limits are valid for duty
cycles t o 10% but must be derated when TC > 25°C. Second
breakdown limitations do not derate the same as thermal
limitations. Allowable current at the voltages shown on
Figure 22 may be found at any case temperature by using the
appropriate curve on Figure 21.
TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 24. At any
case temperatures, thermal limitations will reduce the power
that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown. For inductive loads, high
voltage and current must be sustained simultaneously during
turn–off with the base to emitter junction reverse biased. The
safe level is specified as a reverse biased safe operating area
(Figure 23). This rating is verified under clamped conditions
so that the device is never subjected to an avalanche mode.
Figure 22. Forward Bias Safe Operating Area
100
0.01
10001
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 23. Reverse Bias Safe Operating Area
16
6
0
800300
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
1
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
DC
5 ms
1 ms
10 µs
1 µs
8
2
GAIN ≥ 5
0 V -1.5 V
-5 V
TC ≤ 125°C
LC = 4 mH
10
400 500 700600
12
4
14
10
10
EXTENDED SOA
BUH150
http://onsemi.com
10
TYPICAL THERMAL RESPONSE
Figure 24. Typical Thermal Response (ZθJC(t)) for BUH150
1
0.01
100.10.01
t, TIME (ms)
0.1
1 100 1000
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
(NORMALIZED)
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 0.83°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) RθJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.05
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.02
BUH150
http://onsemi.com
11
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
ISSUE AA
TO–220AB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
BUH150
http://onsemi.com
12
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “T ypical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
BUH150/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada