42222 4224242244 22422224 ALTERNISTORS bidirectional devices for reactive circuits and frequencies over 60 Hz ALTERNISTORS dispositifs bidirectionnels pour circuits ractifs AN a f . xX om et frquences suprieures 4 60 Hz THOMSON: CSF Types Vowm | 'tsm Ibm IgT (mA) max} iq [VTw/ itm (dv/dt)c dv/dt Case + 20 ms | @ Vowm @ (di/dtie @ 67% I iyi yiv VpwM Tj=110C Tj=110C = [T)=110C max typ ] max min min (v) (A) (mA) [++]+]{+] (mA)] (V) (A) (V/us) (V/pzs) 8 Arms / Tease = 75C Tj = 110C Pt = 40As 35 Aims | 28 Ams Insulated Jee. TXDV 208 200. Bes _ TXDV 408 400 enn ' TXDV 608 600 90 2 100 j 100 | 100 30 | 1,8 11 200 : 10 200 TXDV 808 800 12 Arms /Tcase = 75C Tj = 110C It = 40A's 53.Aims | 425 Ams Insulated 4 Oeste 8 TXDV 212 - 200 be plastique TXDV 412 400 : : 10 30 | 1,9 1 : 1 200 TXDV 612 600 90 2 100} 100} 10 0 5.0 200 0 Insulating voltage : TXDV 812 B00 2500 Vams 25 Arms /Tcase = 75C Tj = 110C It = 265 A's 1,2. Ams | 88 A/ms TRDV 125 100 TRDV 225 - 200 } See TRDV 425 400 peed TRDV 625 600 230 2 150 | 150 | 150 50 [2 35 200 10 200 TRDV 825 800 TRDV 1025 1000 TRDV 1225 1200 25 Arms / Tease = 65C Tj = 110C It = 265 A's 11,2 Aims | 88 Ams Insulated oe TODV 125 100 Pe TODV 225 200. Q TODV 425 400 ope TODV 625 600 230 2 150] 150 | 150 50 | 1,8 35 200 410 200 TODV 825 800: pe TODV 1025 ~ 7000 TODV 1225 1200 - a 40 Arms /Tcase = 60C Tj = 110C It = 612As 18Ams | 142 Aims Sus RD 31 Insulated ; % plastic TODV 140 1400 plastique TODV 240 200 ee (CB-332) TODV 440 A00 8 TODV 640 600 | 350 5 {200} 200 | 200 50 41,8 60 40 | 200 J incutating voltage : TODV 840 800. 2500 Vams TODV 1040 4000 TODV 1240 1200 l * M6 thread available on request : Type number + suffix M N: New product Filetage M6 sur demande : N de type + suffixe M * Nouveau produit 210