BC546C - DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

BC546 ... BC549

General Purpose NPN Transistors

Universal-NPN-Transistoren

IC= 100 mA

hFE ~ 110/200/420

Tjmax = 150°C

VCEO = 30...65 V

Ptot = 500 mW

Version 2018-02-01

TO-92 (10D3)

(1)

(2)

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing,

Switching, Amplification

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung,

Schalten, Verstärken

Standardausführung 1)

Features

General Purpose

Three current gain groups

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Universell anwendbar

Drei Stromverstärkungsklassen

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

(1) Taped in ammo pack

(Raster 2.54)

(2) On request: in bulk

(Raster 1.27, suffix “BK”)

4000

5000

(1) Gegurtet in Ammo-Pack

(Raster 2.54)

(2) Auf Anfrage: Schüttgut

(Raster 1.27, Suffix “BK”)

Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL N/A

Current gain groups

Stromverstärkungsgruppen

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC546A

BC547A

BC548A

BC549A

BC546B

BC547B

BC548B

BC549B

BC546C

BC547C

BC548C

BC549C

BC556 ... BC559

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)

BC546 BC547 BC548/549

Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 80 V 50 V 30 V

Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V 30 V

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 80 V 50 V 30 V

Emitter-Base-voltage C open VEBO 5 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 500 mW 3)

Collector current – Kollektorstrom DC IC100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom IBM 200 mA

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom - IEM 200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-55...+150°C

-55…+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 x 2.54

CB E

2 x 1.27

CB E

4.6

±0.1

4.6

±0.1

min 12.5

BC546 ... BC549

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C Min. Typ. Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 1)

VCE = 5 V IC = 10 µA Group A

Group B

Group C

hFE

–

150

270

–

IC = 2 mA Group A

Group B

Group C

hFE

110

200

420

–

220

450

800

IC = 100 mA Group A

Group B

Group C

hFE

–

120

200

400

–

Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom

VCE =

80 V

50 V

30 V

B-E short

BC546

BC547

BC548 / BC549

ICES – 0.2 nA 15 nA

VCE =

80 V

50 V

30 V

B-E short

Tj = 125°C

BC546

BC547

BC548 / BC549

ICES – – 4 µA

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 1)

IC = 10 mA IB = 0.5 mA

IC = 100 mA IB = 5 mA VCEsat

–

80 mV

200 mV

250 mV

600 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 1)

IC = 10 mA IB = 0.5 mA

IC = 100 mA IB = 5 mA VBEsat

–

700 mV

900 mV

–

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)

VCE = 5 V IC = 2 mA

VCE = 5 V IC = 10 mA VBE

580 mV

–

660 mV

–

700 mV

770 mV

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz fT– 300 MHz –

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 3.5 pF 6 pF

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

VEB = 0.5 V, IC = ic = 0, f = 1 MHz CEBO – 9 pF –

Noise figure – Rauschzahl

VCE = 5 V, IC = 200 µA, RG = 2 kΩ

f = 1 kHz, Δf = 200 Hz F–

–

2 dB

1.2 dB

10 dB

4 dB

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden