1N4148W, 1N4448W 1N4148W, 1N4448W IFAV = 150 mA VF1 < 0.855 V Tjmax = 150C SMD Small Signal Switching Diodes SMD Kleinsignal-Schaltdioden VRRM = 100 V IFSM1 = 1 A trr < 4 ns Version 2017-01-26 Typical Applications Signal processing, High-speed switching Commercial grade 1) 0.3 1.6 RoHS Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7" Weight approx. Dimensions - Mae [mm] Type Code = W1 Besonderheiten Flaches Kunststoff-Gehause Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazitat Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Pb EE WE Type Code 0.1 0.6 0.1 3.8 Features Low profile plastic package Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V 1.1 0.1 2.7 0.1 0.12 SOD-123F Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten Standardausfuhrung 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 These diodes are available in alternative case outlines Diese Dioden sind auch in alternativen Gehauseformen lieferbar DO-35 MiniMELF Q-MiniMELF Q-MicroMELF SOD-323F = = = = = 1N4148 LL4148 LS4148 MCL4148 1N4148WS Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation - Verlustleistung Max. average forward current - Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s tp 1 ms tp 1 s Reverse voltage Sperrspannung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 3 1N4448 LL4448 LS4448 MCL4448 1N4448WS Ptot 400 mW 3) IFAV 150 mA 3) IFRM 300 mA 3) IFSM 0.5 A 1A 4A VR 75 V VRRM 100 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4148W, 1N4448W Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung 1N4148W 1N4448W - 0.62...0.72 V < 0.855 V <1V < 1.25 V Tj = 25C IF = 1 mA 5 mA 10 mA 50 mA 150 mA Leakage current Sperrstrom Tj = 25C VR = 20 V 75 V IR < 25 nA < 1 A < 25 nA < 100 nA Leakage current Sperrstrom Tj = 150C VR = 20 V 75 V IR < 30 A < 50 A < 30 A < 50 A Junction capacitance - Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time - Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung VF < 0.715 V - < 0.855 V <1V < 1.25 V CT typ. 2 pF trr < 4 ns 1) RthA < 312 K/W 2) 1 120 [%] [A] 100 10 -1 80 Tj = 125C 10 60 -2 40 Tj = 25C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 10-4 [C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG