1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal-Schaltdioden
IFAV = 150 mA
VF1 < 0.855 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 100 V
IFSM1 = 1 A
trr < 4 ns
Version 2017-01-26
SOD-123F
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = W1
Typical Applications
Signal processing,
High-speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
Features
Low profile plastic package
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Flaches Kunststoff-Gehäuse
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
These diodes are available in alternative case outlines
Diese Dioden sind auch in alternativen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMELF
SOD-323F
= 1N4148 1N4448
= LL4148 LL4448
= LS4148 LS4448
= MCL4148 MCL4448
= 1N4148WS 1N4448WS
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 400 mW 3)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC IFAV 150 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 3)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
0.5 A
1 A
4 A
Reverse voltage
Sperrspannung VR75 V
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung VRRM 100 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.6
±0.1
0.6
±0.1
1.1
±0.1
3.8
±0.3
2.7
±0.1
Type
Code
0.12
1N4148W, 1N4448W
Characteristics Kennwerte
1N4148W 1N4448W
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF =
1 mA
5 mA
10 mA
50 mA
150 mA
VF
< 0.715 V
–
< 0.855 V
< 1 V
< 1.25 V
–
0.62...0.72 V
< 0.855 V
< 1 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C VR = 20 V
75 V IR
< 25 nA
< 1 µA
< 25 nA
< 100 nA
Leakage current
Sperrstrom Tj = 150°C VR = 20 V
75 V IR
< 30 µA
< 50 µA
< 30 µA
< 50 µA
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CTtyp. 2 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug trr < 4 ns 1)
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 312 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2
