VACUUMSCHMELZE
DATENBLATT / Specification
Sach Nr.:
Item no.: T60404-N4644-X201
K-Nr.:
K-no.: 125 / 200 A - Stromsensor-Modul / Current Sensor Module Datum:
Date: 14.01.2005
Kunde:
Customer Typenelement / Standard Type Kd. Sach Nr.:
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Bd.
KB-PM IA: Kei.
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Schadenersatz. Alle Rechte für den Fall der Patenterteilung oder GM-Eintragung vorbehalten
Maßbild siehe Blatt 2 :
Mechanical outlines page 2
Anschlußschema
Schematic diagram
+ UB
- UB
ia
i1+
+
-Ra
Ca
+
M
3
2
1
4
5NC Leerstift ( not connected )
NC Leerstift ( not connected )
Betriebsdaten/Charakteristische Daten (Richtwerte):
Operational data/characteristic data (nominal values):
Nennstrom i
1Neff = 125 /200 A
Rated current
Nennausgangsstrom i
aNeff = 62,5 / 100 mA
Output current
Nennübersetzungsverhältnis K
N
= (1) : 2000
Transformation ratio
Überstrom (Ra < 15 Ω)) 1max = ±350 A
Over current (Ra < 15 Ω )
Versorgungsstrom im Leerlauf I
Bo < 18 mA
supply current
Versorgungsspannung U
B
= ± 15 V ±5%
Supply voltage
Maximale Versorgungsspannung (ohne Fkt.) U
Btot = ±18 V
Maximum supply voltage (without function)
Innenwiderstand R
i
< 61 Ω
Interal resistance
Abschlußwiderstandsbereich R
a
= 10...200 Ω
Load resistance
Umgebungstemperatur T
U
= -40...+70 °C
Ambient temperature
für Ra ≥ 24 Ω oder i1eff ≤ 125 A T
U
= -40...+85 °C
for Ra ≥ 24 Ω or i1eff ≤ 125 A
Weitere Vorschriften:
Applicable documents: Siehe Seite 2
See page 2
Datum Name Index Änderung
14.01.05 Bd. 85 Internen Fertigungsablauf verbessert. ÄA-768
20.10.04 Tr. 84 Internen Arbeitsablauf verbessert (Verklebung). ÄA-720.
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Maßbild (mm): Freimaßtoleranz DIN ISO 2768-c
Mechanical outline General tolerances
Befestigungsbohrung
3,2 / 13 tief
Mounting hole 3,2 / 13 deep
Schraube Ø 3,9x9,5
DIN 7971 empfohlen
screw Ø3,9x9,5 recommended
DC=Date Code
F=Factory
Toleranz der Stiftabstände ±0,2mm
( Tolerances grid distance )
40
2x12,7
5,08
20,32
3,8 123
35,56
41
45
15
33,4
19
0,5
3,5-0,5
10,5
19
13
21,7
3,9
+U B-U B
ia
F DC
21
21
Anschluß Nr.1,2,3 = 1,0x0,5
Anschluß Nr.4,5 = 0,88x0,6
( Connector ) +0,5
-0,2
Anschlüsse:
Connections:
4644X201
F DC
Beschriftung:
inscription
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Prüfung: (V:100%-Test; AQL...:DIN ISO 2859-Teil 1)
Inspection
1) (V) Ausgangsstrom (Ra = 50 Ω) i
a
(100 A) = 50 mA ± 0,5 %
Output current (Ra = 50 Ω)
2) (V) Offsetstrom I
O
≤ 0,05 mA
Offset current
3) (V) M3014: Prüfspannung (50 Hz, 2 s) U
p,eff = 3,3 kV
Cu-Schiene im Innenloch gegen Stifte 1,2 und 3
Test voltage (50 Hz, 2 s) Cu-bar in center hole to Pins 1,2 and 3
Messungen nach Temperaturangleich der Prüflinge an Raumtemperatur
Measurements after temperature balance of the samples at room temperature
Maximal meßbarer Strom î1 (Ra)
Maximum measurable current î1(Ra)
020 40 60 80100120 140 160180
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
R
a
200
U B =±15V
Ω
A
N1 i1
300
320
340
360
380
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Charakteristische Daten (Richtwerte) des Stromsensormoduls ermittelt durch eine Typprüfung
General data ascertained by type test
Meßgenauigkeit bei Raumtemperatur F
i
< 0,5 %
Measuring accuracy at room temperatur
Linearität F
Li < 0,1 %
Linearity
Temperaturdrift von Fi (-40...+70°C) F
Ti < 0,1 %
Temperature drift of Fi (-40...+70°C)
Frequenzbereich (bei eingeschränkter Amplitude) f = DC...100** kHz
Frequency range (with limited amplitude)
Ansprechzeit τ < 1* µs
Response time
Verzögerungszeit bei î1max bei einem Stromanstieg von di/dt = 100 A/µs ∆t (î1max, 100 A/µs) < 1* µs
Delay time at î1max with a current rise of di/dt = 100 A/µs
Offsetstrom (beinhaltend Io, ∆Iot, ∆IoT) I
oges < 0,05 mA
Offset current (including Io, ∆Iot, ∆IoT)
Offsetstrom bei Raumtemperatur I
o
< 0,05 mA
Offset current at room temperature
Drift von Io ∆I
ot < 0,05 mA
Offset current drift
Temperaturdrift von Io (-40...+70°C) ∆I
oT < 0,05 mA
Offset current temperature drift (-40...+70°C)
Hysterese von Io ∆I
oH < 0,085 mA
Hysteresis of Io
Offsetripple (s.Blatt 6) i
oss < 0,7 mA
Offset ripple (s. page 6)
Versorgungsspannungsdurchgriff auf Io ∆I
o
/∆U
B < 0,01 mA/V
Supply voltage rejection ratio
Maximal mögliche Koppelkapazität primär - sekundär C
k
< 8 pF
(bei nichtisoliertem das Innenloch voll ausfüllendem Primärleiter)
Maxiimum possibble coupling capacitance (primary - secondary)
(with not isolated the the hole completely filling primary conductor)
Ausgangsstörgleichstrom I
aSt < 0,2 mA
Interference output current
Kritischer Abstand bei einem Störimpuls a
Krit < 15 cm
Critical distance with an interference pulse current
Lagertemperaturbereich T
L
= -40 ... +85°C
Storage temperature range
Masse m < 40 g
Masse
Stromrichtung: Ein positiver Meßstrom erscheint am Anschluß i a, wenn der Primärstrom in Pfeilrichtung fließt.
Current direction: A positiv output current appears at point ia by primary current in direction of the arrow.
*Bei seitlicher Rückführung des Primärleiters in Höhe des Innenlochs.
With return conductor alongside at the same height as the inner hole.
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Weitere Vorschriften:
Applicable documents:
Konstruiert, gefertigt und geprüft nach DIN EN 50178 und erfüllt die Vorschriften.
Parameter: Verstärkte Isolierung: Cu-Schiene im Innenloch gegen Stifte 1,2 und 3 Verschmutzungsgrad 2
Bemessungsisolationsspannung – Netzstromkreis Ueff = 300 V Isolierstoffklasse 1
Nicht Netzstromkreis UDC = 550 V
Luft- und Kriechstrecke = 5,5 mm
Constructed, manufactured and tested in accordance with DIN EN 50178 and agrees with the standards.
Parameters: Reinforced insulation: Cu-bar in center hole to Pins 1,2 and 3 Pollution degree 2
Rated insulation voltage – Mains supply Urms = 300 V Insulation material group 1
Non mains supply UDC = 550 V
Clearance and Creepage distance = 5,5 mm
Gehäuse und Spulenkörperwerkstoff UL gelistet
Housing and bobbin material UL-listed
Typprüfung:
Type test
1) Stoßspannungsprüfung in Anlehnung an M3064
HV transient test according to M3064
Cu-Schiene im Innenloch gegen Stifte 1,2 und 3
Cu-bar in center hole to Pins 1,2 and 3
Einstellwerte: 1,2 µs / 50 µs-Kurvenform (waveform)
Settings U
P,max = 6,4 kV
R
i
= 40 Ω
3 Impulse im Abstand t = 10 Sekunden mit wechselnder Polarität
3 pulses in a cycle of t = 10 seconds with changing polarity
2) M3024: U
p,eff = 3,3 kV, 60 s Cu-Schiene im Innenloch gegen Stifte 1,2 und 3
Cu-bar in center hole to Pins 1,2 and 3
U
TA, eff ≥ 0,65 kV
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Mögliche Offsettripple-Verringerung durch Tiefpaß:
Avariable offset ripple reduction means of a low pass:
Der Offsettripple kann durch einen externen Tiefpaß verringert werden . Dazu muß parallel zu Ra eine Kapazität Ca geschaltet
werden. Die Abbildung zeigt den verbleibenden Wert des Offsetripples (ioss(Ra . Ca)) bezogen auf den Wert ohne externe Kapazität
(ioss). Hierbei wird allerdings die Ansprechzeit verlängert. Sie berechnet sich nach der Formel:
The offset ripple can be reduced by an external low pass. Therefore a capacitance Ca must be switched parallel to Ra. The diagram shows the remaining
value of the offset ripple (ioss(Ra . Ca)) relative to the value without external capacitance (ioss). In this case the response
time is lengthened. It is calculated from:
1
τ
a
≤ τ + 2,5 . Ra . Ca bzw. fg = --------------------
2π . Ra . Ca
Beispiel: ioss (Ra . Ca)
Example: -------------------- = 25%
ioss
R
a
= 47 Ω; C
a
= 100 nF
τ
a
≤ 21 µs; f
g
= 34 kHz
100
10
10,1 110100
R
a
* C
a
[µ
s
]
ioss (Ra ∗ Ca)
ioss [%]
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Erläuterung einiger in den Tabellen verwendeter Größen (alphabetisch)
Explanation of several of the terms used in the tablets (in alphabetical order)
aKrit: Abstand eines störstromführenden Leiters von der Gehäuseseitenflaäche, bei dem auch an ungünstiger Stelle
die zugeordnete Störgröße am Ausgang des Sensos 1% des Nennstroms nicht übersteigt. Den Angaben
liegt ein sinusförmiger Störimpuls mit einer Impulsbeite von 50 µs in Höhe des Nennstroms zugrunde.
Distance of a current carring conductor from the sides of the housing, where even at the most unfavourable
spot the applicable interference at the sensor output does not exeed 1% of rated current. The data is based on a
sinusoidal interference pulse current with a pulse width of 50 µs having the same magnitude as the rated current.
Fges(i1):Die Summe aller möglichen Fehler im gesamten Temperaturbereich bei der Messung eines Stroms i1:
The sum of all possible errors over the temperature range when measuring a current i1:
ia (i1)
F
ges = 100 • ---------------- - 1
KN . i1
Fi: In der Ausgangsprüfung zugelassener Meßfehler bei RT, definiert durch
Permissible measurement error in the final inspection at RT, defined by
Ia
F
i
= 100 • ----------- - 1
iaNeff
wobei Ian der offsetbereinigte Ausgangsgleichstromwert für einen Eingangsgleichstrom in Höhe des (positiven)
Nennstroms ist (d.h. Io = 0 )
where Ian is the output DC value of an input DC current of the same magnitude as the (positive) rated current (Io = 0)
I1 Ia
FLi: Linearitätsfehler definiert durch FLi = 100 • --------- - ---------
Linearity fault defined by I1Neff Ian
Dabei ist I1 beliebiger Eingangsgleichstrom und Ia die zugehörige offsetbereinigte Ausgangsgröße (d.h. Io = 0). Ian
s. Erläuterung zu Fi.
Where I1 is any input DC and Ia the corresponding output term. Ian see notes of Fi (Io = 0).
FTi: Temperaturdrift der nennwertbezogene Ausgangsgrößen Ian (vgl. Erläuterung zu Fi) im spezifischen
Temperaturbereich, gegeben durch.
Temperatur drift of the rated value orientated output term. Ian (cf. Notes on Fi) in a specified temperature range, obtained by:
I
an (TU2 ) - Ian (TU1)
F
Ti = 100 • ------------------------------
iaNeff
IaSt: Ausgangsgleichstrom hervorgerufen durch einen Störgleichstrom in Höhe des Nennstroms in einem
Leiter in 1 cm Abstand von der Gehäuseseitenfläche (ungünstige Lage).
Output DC current caused by an interfering DC current of the same magnitude as the rated current in a conductor 1 cm away
from the sides of the housing (unfavourable position).
∆IoH: Nullpunktabweichung nach Übersteuerung mit Gleichstrom des 4-fachen Nennwerts. (Ra = RaN)
Zero variaton after overloading with a DC of fourfold the rated value. (Ra = RaN)
∆Iot: Langzeitdrift von Io nach 100 Temperaturwechseln im Bereich von -40 bis 85 °C.
Long term drift of Io after 100 temperature cycles in the range -40 to 85 °C.
τ: Ansprechzeit, gemessen als Verzögerungszeit bei i1 = 0,9 . î1 zwischen einem eingespeisten Rechteckstrom
und dem dazugehörigen Ausgangsstrom.
Response time, measured as delay time at i1 = 0,9 . î1 between a rectangular current i1 and the output current ia
∆t (î1max, 100 A/µs): Verzögerungszeit zwischen î1max und dem dazugehörigen Ausgangsstrom ia bei einem
Stromanstig des Primärstroms von di1/dt = 100 A/µs.
Delay time between î1max and the output current ia with a primary current rise of di1/dt = 100 A/µs.
